基本信息:
- 专利标题： 쇼트키 다이오드
- 专利标题（英）：Schottky diode
- 专利标题（中）：肖特基二极管
- 申请号：KR1020147009290 申请日：2012-09-07
- 公开(公告)号：KR1020140074930A 公开(公告)日：2014-06-18
- 发明人： 헨닝,제이슨,패트릭 , 장,칭천 , 류,세-형 , 아가르왈,아난트,쿠마르 , 팔무어,존,윌리엄스 , 알렌,스캇
- 申请人： 크리, 인코포레이티드
- 申请人地址： **** Silicon Drive Durham, NC ***** United States of America
- 专利权人： 크리, 인코포레이티드
- 当前专利权人： 크리, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： **** Silicon Drive Durham, NC ***** United States of America
- 代理人： 양영준; 백만기
- 优先权： US13/229,749 2011-09-11
- 国际申请： PCT/US2012/054091 2012-09-07
- 国际公布： WO2013036722 2013-03-14
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872 ; H01L29/06
摘要：
본 개시는 일반적으로 기판, 기판 위에 제공된 드리프트층, 및 드리프트층의 활성 영역 위에 제공된 쇼트키층을 갖는 쇼트키 다이오드에 관한 것이다. 쇼트키층을 위한 금속 및 드리프트층을 위한 반도체 재료는 드리프트층과 쇼트키층 사이에 낮은 장벽 높이 쇼트키 접합을 제공하도록 선택된다.
摘要（英）：
This disclosure relates generally to a Schottky diode having a schottky layer provided on the active region of the drift layer, and the drift layer provided on the substrate, the substrate. Semiconductor material for the metal and the drift layer for a schottky layer is chosen to provide a low barrier height of the Schottky junction between the drift layer and a schottky layer.
公开/授权文献:
- KR101984836B1 쇼트키 다이오드 公开/授权日：2019-06-03
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |