基本信息:
- 专利标题： 광경화 가능한 안트라센 포함 고내열 폴리벤즈옥사졸 화합물, 이를 포함하는 유기절연체 형성용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터
- 专利标题（英）：Photocrosslinkable anthracene containing high thermal resistant polybenzoxazole, composition containing the same for forming organic gate insulator and thin-film transistor using the same
- 专利标题（中）：含有高耐热性聚苯并噻唑的光致交联蒽醌，其含有形成有机盖绝缘体的组合物和使用其的薄膜晶体管
- 申请号：KR1020120113454 申请日：2012-10-12
- 公开(公告)号：KR1020140047330A 公开(公告)日：2014-04-22
- 发明人： 가재원 , 이미혜 , 장광석 , 김진수 , 서민혜 , 김희선
- 申请人： 한국화학연구원
- 申请人地址： ***, Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon, *****, Republic of Korea
- 专利权人： 한국화학연구원
- 当前专利权人： 한국화학연구원
- 当前专利权人地址： ***, Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon, *****, Republic of Korea
- 代理人： 이원희
- 主分类号： C08G73/22
- IPC分类号： C08G73/22 ; C08L79/04 ; H01B3/30 ; H01L29/786
摘要：
The present invention relates to a high heat resistant polybenzoxazole compound containing photo-curable anthracene, an organic insulator forming composition containing the same, and a thin-film transistor using the same, and more specifically, the highly polymerized compound relates to a photo-curable polybenzoxazole polymerized compound having excellent chemical resistance, especially chemical resistance to a base, insulation properties, and heat resistance, an organic insulator forming composition comprising the same, and a thin-film transistor using the same.
摘要（中）：
本发明涉及含有光固化蒽的高耐热性聚苯并恶唑化合物，含有它的有机绝缘体形成组合物和使用其的薄膜晶体管，更具体地说，高分子化合物涉及可光固化的 具有优异的耐化学性，特别是对碱的耐化学性，绝缘性和耐热性的聚苯并恶唑聚合化合物，包含该聚合物的有机绝缘体形成组合物和使用其的薄膜晶体管。
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C08 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 |
| ----C08G | 用碳—碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物 |
| ------C08G73/00 | 不包括在C08G12/00到C08G71/00组内的，在高分子主链中形成含氮的键合，有或没有氧或碳键合反应得到的高分子化合物 |
| --------C08G73/02 | .聚胺 |
| ----------C08G73/22 | ..聚苯并唑 |