基本信息:
- 专利标题： 도핑-프리 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：Doping-free silicon solar cell and the fabrication method thereof
- 专利标题（中）：无铅硅太阳能电池及其制造方法
- 申请号：KR1020120079437 申请日：2012-07-20
- 公开(公告)号：KR1020140012471A 公开(公告)日：2014-02-03
- 发明人： 고민재 , 한승희 , 김홍곤 , 김태희 , 김진영 , 김경곤 , 김봉수 , 이도권
- 申请人： 한국과학기술연구원
- 申请人地址： 서울특별시 성북구 화랑로**길 * (하월곡동)
- 专利权人： 한국과학기술연구원
- 当前专利权人： 한국과학기술연구원
- 当前专利权人地址： 서울특별시 성북구 화랑로**길 * (하월곡동)
- 代理人： 특허법인충현
- 主分类号： H01L31/042
- IPC分类号： H01L31/042 ; H01L31/18
摘要：
The present invention relates to an amorphous silicon solar cell that includes an upper/lower electrode and an interfacial electrode applying an electric field between light absorption layers without a doping process. Because a doping process is not carried out, a harmful doping gas is not used. Also, because a window layer for receiving light is used as a metallic oxide which has high light transmission and a function of transferring holes, the loss of light reaching a light absorption layer can be minimized and the photocurrent density improved.
摘要（中）：
非晶硅太阳能电池技术领域本发明涉及一种非晶硅太阳能电池，其包括上下电极和界面电极，其在没有掺杂工艺的光吸收层之间施加电场。 由于不进行掺杂工艺，所以不使用有害的掺杂气体。 此外，由于用于接收光的窗口层被用作具有高透光度和传递空穴的功能的金属氧化物，所以可以使到达光吸收层的光的损失最小化并且光电流密度提高。
公开/授权文献:
- KR101369729B1 도핑-프리 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법 公开/授权日：2014-03-07