基本信息:
- 专利标题: 공핍된 이종접합면 및 쉘-부동화된 나노 입자를 지니는 광기전력 장치
- 专利标题(英):Photovoltaic devices with depleted heterojunctions and shell-passivated nanoparticles
- 专利标题(中):具有不同的异常和壳体钝化纳米粒子的光电器件
- 申请号:KR1020127029025 申请日:2011-03-25
- 公开(公告)号:KR1020130098146A 公开(公告)日:2013-09-04
- 发明人: 탕,지앙 , 파탄티유스-아브라함,안드라스 , 크라머,일란 , 바크하우스,아론 , 왕,시후아 , 데브나쓰,라탄 , 사르겐트,에드워드에이치. , 게라시모스,콘스탄타토스
- 申请人: 더 가버닝 카운실 오브 더 유니버시티 오브 토론토
- 申请人地址: 캐나다 온타리오 엠*에스 *에이* 토론토 킹즈 칼리지 서클 ** 심코홀
- 专利权人: 더 가버닝 카운실 오브 더 유니버시티 오브 토론토
- 当前专利权人: 더 가버닝 카운실 오브 더 유니버시티 오브 토론토
- 当前专利权人地址: 캐나다 온타리오 엠*에스 *에이* 토론토 킹즈 칼리지 서클 ** 심코홀
- 代理人: 특허법인 남앤드남
- 优先权: US12/890,797 2010-09-27; US61/321,450 2010-04-06; US61/334,650 2010-05-14
- 国际申请: PCT/US2011/030074 2011-03-25
- 国际公布: WO2011126778 2011-10-13
- 主分类号: H01L31/0296
- IPC分类号: H01L31/0296 ; H01L31/032 ; H01L31/072
摘要:
빛-흡수 층 및 전자-수용 층의 조성물이 이러한 두 층 사이의 접합면 중 적어도 한 면이 전하 캐리어, 즉, 자유 전자 및 자유 정공 둘 모두가 실질적으로 공핍되도록 선택되어 제작된 광기전력 전지가 본원에 개시된다. 본 발명의 추가 양태에서, 빛-흡수 층은 각각 표면 음이온을 지니는 양자점 코어, 코어 표면 음이온을 부동화시키는 양이온을 함유하는 내부 쉘, 내부 쉘의 음이온 및 코어 표면 상의 음이온을 부동화시키는 음이온을 함유하는 외부 쉘을 지니는, 이중-쉘 부동화된 양자점으로 구성된다.
摘要(中):
制造光电池,其中选择光吸收层和电子接受层的组成,使得这两层之间的结的至少一侧基本上不含电荷载体,即自由电子和游离孔 在没有太阳照明的情况下。 在本发明的另一方面,光吸收层由双壳钝化量子点组成,每个具有表面阴离子的量子点核,含有阳离子以钝化核心表面阴离子的内壳和钝化的外壳 核壳表面上的内壳阴离子和阴离子。
摘要(英):
Light-absorbing layer, and an electron - is at least one side of the junction surface between the receiving layer of these two layers the composition of the charge carriers, that is, both free electron and a free hole a is selected to be substantially depleted making photovoltaic cells are present It is disclosed. In a further aspect of the invention, the light-absorption layer is the outer containing anions immobilized anions on the anion and the core surface of the inner shell, the inner shell containing a cation of passivating the quantum dot core, core surface anion having a surface anionic each having a shell, a double-shell consists of a passivated quantum dots.
公开/授权文献:
- KR101894408B1 공핍된 이종접합면 및 쉘-부동화된 나노 입자를 지니는 광기전력 장치 公开/授权日:2018-09-03
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件 |
--------H01L31/02 | .零部件 |
----------H01L31/0256 | ..以材料为特征的 |
------------H01L31/0264 | ...无机材料 |
--------------H01L31/0296 | ....除掺杂或其他杂质外,只包含AⅡBⅥ化合物,如CdS、ZnS、HgCdTe |