基本信息:
- 专利标题： 탄화규소 박막의 성막방법
- 专利标题（英）：Method for depositing silicon carbide film
- 专利标题（中）：沉积硅碳膜的方法
- 申请号：KR1020127016689 申请日：2011-08-02
- 公开(公告)号：KR1020130071415A 公开(公告)日：2013-06-28
- 发明人： 스가와라다쿠야 , 아오시마히카루 , 지앙유송 , 시오노이치로 , 나가에에키슈
- 申请人： 신크론 컴퍼니 리미티드
- 申请人地址： *-*, Minato Mirai *-chome, Nishi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa, JAPAN
- 专利权人： 신크론 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人： 신크론 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人地址： *-*, Minato Mirai *-chome, Nishi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa, JAPAN
- 代理人： 서종완
- 国际申请： PCT/JP2011/067644 2011-08-02
- 国际公布： WO2013018192 2013-02-07
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; C23C14/58
본 발명 방법은, 진공 용기(11) 내에서 반응 프로세스영역(60)과 성막 프로세스영역(20, 40)이 각각 공간적으로 분리하여 배치되어, 각 영역(20, 40, 60)에서의 처리가 독립적으로 제어 가능하게 구성된 성막장치(1)를 사용하여, 이동하고 있는 기판(S) 상에 탄화규소의 박막을 성막하는 방법으로서, 먼저, 불활성 가스의 분위기하, 영역(20)에서 규소 타겟(29a, 29b)을 스퍼터링하는 동시에, 영역(40)에서 탄소 타겟(49a, 49b)을 스퍼터링한다. 이것에 의해 규소와 탄소를 포함하는 중간 박막을 기판(S) 상에 형성한다. 다음으로, 영역(60)에서, 불활성 가스와 수소의 혼합가스의 분위기하에서 발생시킨 플라즈마를 중간 박막에 폭로하여, 당해 중간 박막을 초박막으로 막 변환시킨다. 그 후, 초박막에 대해 중간 박막의 형성과 초박막으로의 막 변환을 반복한다.
Increase the permeability and film strength, a silicon carbide thin film that can be used as optical applications, in a short time and safely, and also provides a film forming method that can be formed efficiently even in a low heat-resistant substrate.
Are independently processed in the present invention method, the vacuum vessel 11 in the reaction process zone 60 and the film deposition process zone (20, 40) are arranged to separate each spatial, each zone (20, 40, 60) by using a film forming apparatus (1) configured to be controlled by a method for depositing a thin film of silicon carbide on the movement, and the substrate (S) that, first, the atmosphere, a silicon target in the region 20 of inert gas (29a , at the same time of sputtering 29b), and sputtering a carbon target (49a, 49b) in the region 40. This intermediate thin film comprising silicon and carbon is formed by forming on a substrate (S). Next, in region 60, to expose the plasma was generated in an atmosphere of mixed gas of inert gas and hydrogen in the middle of the thin film, the film converts the intermediate thin film art as ultra thin film. Then, to repeat the film formation and conversion to the intermediate thin film extremely thin for the ultra-thin.