基本信息:
- 专利标题： 전극 처리 방법 및 이에 따라 제조된 전극
- 专利标题（英）：Method for treating electrode and electrode prepared thereby
- 专利标题（中）：用于处理电极和制备的电极的方法
- 申请号：KR1020110127262 申请日：2011-11-30
- 公开(公告)号：KR1020130060937A 公开(公告)日：2013-06-10
- 发明人： 하흥용 , 이화영 , 이중기 , 김운조
- 申请人： 한국과학기술연구원
- 申请人地址： 서울특별시 성북구 화랑로**길 * (하월곡동)
- 专利权人： 한국과학기술연구원
- 当前专利权人： 한국과학기술연구원
- 当前专利权人地址： 서울특별시 성북구 화랑로**길 * (하월곡동)
- 代理人： 김영철; 김 순 영
- 主分类号： H01M4/88
- IPC分类号： H01M4/88 ; C25B11/00 ; H01L31/04 ; H01G9/04
摘要：
PURPOSE: A method for treating an electrode is provided to easily increase pore rate and size of a catalyst layer without deformation of a membrane electrode assembly, thereby improving performance of an electrochemical device. CONSTITUTION: A method for treating a catalyst layer(21) and an electrode including a polymer material binding the catalyst layer comprises a step of removing parts of the polymer material by an ion etching method. The method for treating the electrode controls amount of the being removed polymer material by controlling energy of ion beam and voltage of ion. The number of plasma ion in a plasma ion etching is 1 × 10^14 - 1 × 10^18 ions/cm^2. [Reference numerals] (AA) Plasma etching
摘要（中）：
目的：提供一种处理电极的方法，以容易地提高催化剂层的孔隙率和尺寸，而不会使膜电极组件变形，从而提高电化学装置的性能。 构成：用于处理催化剂层（21）和包含结合催化剂层的聚合物材料的电极的方法包括通过离子蚀刻方法除去部分聚合物材料的步骤。 用于处理电极的方法通过控制离子束的能量和离子的电压来控制被去除的聚合物材料的量。 等离子体离子蚀刻中的等离子体离子的数量为1×10 ^ 14 -1×10 18离子/ cm 2。 （附图标记）（AA）等离子体蚀刻
公开/授权文献:
- KR101335463B1 전극 처리 방법 및 이에 따라 제조된 전극 公开/授权日：2013-11-29