基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치 및 그 구동 방법
- 专利标题（英）：Semiconductor device and driving method thereof
- 专利标题（中）：半导体器件及其驱动方法
- 申请号：KR1020127026098 申请日：2011-02-09
- 公开(公告)号：KR1020130027012A 公开(公告)日：2013-03-14
- 发明人： 구로카와요시유키 , 이케다다카유키 , 고즈마무네히로 , 아오키다케시
- 申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 申请人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 代理人： 장수길; 박충범; 이중희
- 优先权： JPJP-P-2010-050776 2010-03-08
- 国际申请： PCT/JP2011/053312 2011-02-09
- 国际公布： WO2011111490 2011-09-15
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; G01J1/44 ; H04N5/378 ; H01L29/786
The semiconductor device comprises a photodiode, a first transistor, the second transistor and the third transistor. The second transistor and the third transistor has a function of holding the charge accumulated in the gate of the first transistor. A second transistor and a voltage level of the voltage applied to the gate of the third transistor during the period, which is turned off, the second transistor is set to be lower than the voltage level of the drain of the second source voltage level and the second transistor of the transistor, the the gate voltage level of the voltage applied to the third transistor is set to be lower than the voltage level of the drain-source voltage of the third level and the third transistor of the transistor.
公开/授权文献:
- KR101898297B1 반도체 장치 및 그 구동 방법 公开/授权日：2018-09-12
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |