基本信息:
- 专利标题： 비휘발성 메모리 소자 및 그 구동 방법
- 专利标题（英）：Nonvolatile resistive memory device and method of driving the same
- 专利标题（中）：非易失性电阻记忆体装置及其驱动方法
- 申请号：KR1020110083580 申请日：2011-08-22
- 公开(公告)号：KR1020130021199A 公开(公告)日：2013-03-05
- 发明人： 장만 , 김영배 , 이동수 , 이창범 , 이승렬 , 김창정 , 이명재 , 김경민
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 리앤목특허법인
- 主分类号： G11C16/20
- IPC分类号： G11C16/20 ; G11C16/04 ; G11C16/06
摘要：
PURPOSE: A nonvolatile memory device and a driving method thereof are provided to secure a stable device operation by reducing the distribution of a plurality of reset currents at each level in a multilevel cell. CONSTITUTION: A first reset voltage is applied to a unit memory cell and a current reset current is read(S11). The current reset current is compared with a set current of a prior cycle(S16). If a difference between the current reset current and the prior set current is smaller than a preset value, a second reset voltage is applied to the unit memory cell(S21). If the difference between the current reset current and the prior set current is larger than a preset value, the set voltage is applied to the unit memory cell and the unit memory cell unit is switched into the set state and then the first reset voltage is applied again. [Reference numerals] (AA) Start; (BB,EE,GG,JJ) No; (CC) I_RESET first upper limit; (HH) I I_RESET - I_SET I > second upper limit; (KK) I I_RESET - I_SET I
摘要（中）：
目的：提供一种非易失性存储器件及其驱动方法，以通过减少多电平单元中的每个电平上的多个复位电流的分布来确保稳定的器件操作。 构成：将第一复位电压施加到单元存储单元，并读取当前复位电流（S11）。 将当前复位电流与先前循环的设定电流进行比较（S16）。 如果当前复位电流和先前设定电流之间的差小于预设值，则向单元存储单元施加第二复位电压（S21）。 如果当前复位电流和先前设定电流之间的差异大于预设值，则将设定电压施加到单元存储单元，并将单元存储单元单元切换到设定状态，然后施加第一复位电压 再次。 （附图标记）（AA）开始; （BB，EE，GG，JJ）否; （CC）I_RESET <第一下限; （DD，II）是; （FF）I_RESET>第一上限; （HH）I I_RESET - I_SET I>第二上限; （KK）I I_RESET - I_SET I <第二下限; （LL）结束; （S10）向单元施加V_RESET的步骤; （S11）向单元读取I_RESET的步骤; （S12）确定单元电平的步骤; （S13）更改V_RESET条件; （S14）将更改的V_RESET应用于单元; （S15）应用V_SET; （S16）比较当前I_RESET和之前的I_SET的步骤; （S17）添加V_RESET; （S18，S20）检查I_RESET; （S19）添加V_SET + V_RESET; （S21）将V_SET应用于单位单元的步骤; （S22）读取单元的I_SET的步骤
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C16/00 | 可擦除可编程序只读存储器 |
| --------G11C16/02 | .电可编程序的 |
| ----------G11C16/06 | ..辅助电路，例如，用于写入存储器的 |
| ------------G11C16/10 | ...编程或数据输入电路 |
| --------------G11C16/20 | ....初始化；数据预置；芯片识别 |