基本信息:
- 专利标题： 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법
- 专利标题（英）：Semiconductor thin film structure and method of forming the same
- 专利标题（中）：半导体薄膜结构及其形成方法
- 申请号：KR1020110047692 申请日：2011-05-20
- 公开(公告)号：KR1020120129439A 公开(公告)日：2012-11-28
- 发明人： 윤의준 , 하신우
- 申请人： 서울대학교산학협력단
- 申请人地址： 서울특별시 관악구 관악로 * (신림동)
- 专利权人： 서울대학교산학협력단
- 当前专利权人： 서울대학교산학협력단
- 当前专利权人地址： 서울특별시 관악구 관악로 * (신림동)
- 代理人： 송경근; 박보경
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
PURPOSE: A semiconductor film structure and a method for forming the same are provided to increase internal quantum efficiency by forming a nitride semiconductor thin film of low defect density. CONSTITUTION: A plurality of empty spaces(C) are separately formed on a substrate(10). An inorganic film(30) is formed on the substrate. An inorganic film has 2D arrangement. A nitride semiconductor thin film is formed on the substrate. A structure of the nitride semiconductor thin film is two or more layers.
摘要（中）：
目的：提供半导体膜结构及其形成方法，以通过形成低缺陷密度的氮化物半导体薄膜来提高内部量子效率。 构成：在基板（10）上分开形成多个空的空间（C）。 在基板上形成无机膜（30）。 无机膜具有2D排列。 在基板上形成氮化物半导体薄膜。 氮化物半导体薄膜的结构为两层以上。
公开/授权文献:
- KR101235239B1 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법 公开/授权日：2013-02-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |