基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치 및 그 구동 방법
- 专利标题（英）：Semiconductor device and driving method of the same
- 专利标题（中）：半导体器件及其驱动方法
- 申请号：KR1020127023458 申请日：2011-01-25
- 公开(公告)号：KR1020120127722A 公开(公告)日：2012-11-23
- 发明人： 이노우에히로키 , 가토기요시 , 마츠자키다카노리 , 나가츠카슈헤이
- 申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 申请人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 代理人： 장훈
- 优先权： JPJP-P-2010-028820 2010-02-12
- 国际申请： PCT/JP2011/051845 2011-01-25
- 国际公布： WO2011099389 2011-08-18
- 主分类号： H01L27/105
- IPC分类号： H01L27/105 ; H01L27/12 ; H01L27/115 ; G11C11/403 ; G11C11/405 ; G11C11/24
摘要：
본 발명의 목적은 전력이 공급되지 않을 때조차 저장된 데이터가 보유될 수 있으며 기록 횟수가 한정되지 않는 신규한 구조를 가진 반도체 장치를 제공하는 것이다. 상기 반도체 장치는 와이드 갭 반도체를 사용하여 형성되며 비트선의 전위와 동일하거나 또는 그것과 상이한 전위를 소스선에 선택적으로 인가하는 전위 변경 회로를 포함한다. 따라서, 상기 반도체 장치의 전력 소비는 충분히 저감될 수 있다.
摘要（英）：
An object of the present invention, the stored data can be held even when power is not supplied, and to provide a semiconductor device having a novel structure that is not only the number of times recorded. The semiconductor device is formed by using the wide gap semiconductor comprises a changing potential which is selectively applied to a different potential and the same or it with the bit line potential to the source line circuit. Thus, the power consumption of the semiconductor device can be sufficiently reduced.
公开/授权文献:
- KR101811204B1 반도체 장치 및 그 구동 방법 公开/授权日：2017-12-22
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |