基本信息:
- 专利标题： 과립형 비-고분자 배리스터 물질, 이를 구비한 기판 디바이스 및 이를 형성하는 방법
- 专利标题（英）：Granular non-polymeric varistor material, substrate device comprising it and method for forming it
- 专利标题（中）：颗粒非聚合物材料，包含其的基板设备及其形成方法
- 申请号：KR1020127017299 申请日：2010-11-30
- 公开(公告)号：KR1020120101498A 公开(公告)日：2012-09-13
- 发明人： 쉬닝 , 플레밍로버트 , 우준준 , 코소우스키렉스
- 申请人： 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드
- 申请人地址： **** Hellyer Avenue, San Jose, CA *****, U.S.A.
- 专利权人： 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드
- 当前专利权人： 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： **** Hellyer Avenue, San Jose, CA *****, U.S.A.
- 代理人： 특허법인태평양
- 优先权： US12/954,605 2010-11-24; US61/266,988 2009-12-04
- 国际申请： PCT/US2010/058435 2010-11-30
- 国际公布： WO2012071051 2012-05-31
- 主分类号： H01B3/10
- IPC分类号： H01B3/10 ; H01B17/56 ; H01L21/316
摘要：
기술된 실시 형태들은 단일 화합물만으로 형성된 과립형 구조로 실질적으로 구성된 비-고분자 VSD 물질을 포함하고, 이 비-고분자 VSD 물질을 제조하는 프로세스들 및 이를 이용한 어플리케이션들을 포함한다.
摘要（中）：
所描述的实施例包括基本上由仅由单一化合物形成的晶粒结构，其制备方法和使用这种非聚合物VSD材料的应用的非聚合物电压可切换电介质（VSD）材料。
摘要（英）：
The described embodiments are substantially composed of a non-granular structure formed of only a single compound it includes the processes and applications using the same for producing a polymer VSD material-including polymer VSD material, the ratio.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01B | 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择 |
| ------H01B3/00 | 按绝缘材料的特性区分的绝缘体或绝缘物体；绝缘或介电材料的性能的选择 |
| --------H01B3/02 | .主要由无机物组成的 |
| ----------H01B3/10 | ..金属氧化物 |