基本信息:
- 专利标题： 습식식각형 버퍼층을 이용한 수직형 발광다이오드 제조 방법
- 专利标题（英）：Method of manufacturing light emitting diode using wet etched type buffer layer
- 专利标题（中）：使用湿蚀刻型缓冲层制造发光二极管的方法
- 申请号：KR1020110008583 申请日：2011-01-28
- 公开(公告)号：KR1020120099544A 公开(公告)日：2012-09-11
- 发明人： 유학기 , 송양희 , 이종람
- 申请人： 포항공과대학교 산학협력단
- 申请人地址： 경상북도 포항시 남구 청암로 ** (지곡동)
- 专利权人： 포항공과대학교 산학협력단
- 当前专利权人： 포항공과대학교 산학협력단
- 当前专利权人地址： 경상북도 포항시 남구 청암로 ** (지곡동)
- 代理人： 특허법인아이엠
- 主分类号： H01L33/12
- IPC分类号： H01L33/12
摘要：
PURPOSE: A method for manufacturing a vertical light emitting diode using a wet etched buffer layer is provided to manufacture the light emitting diode at low cost comparing to a laser off technology by separating a substrate and a light emitting diode device using the wet etched buffer layer. CONSTITUTION: A buffer layer including an unevenness section is formed on a substrate. The size of the each unevenness section is 10nm to 10μm. An N type semiconductor, an active layer and a P type semiconductor are successively formed on the upper part of the buffer layer. A metal support layer is formed on the P type semiconductor. The buffer layer is removed by wet etching. [Reference numerals] (AA,FF,LL) Metal support layer; (BB,GG,KK) P-type semiconductor; (CC,HH,JJ) N-type semiconductor; (DD) Nano pyramid buffer layer; (EE,II) Substrate; (MM) Active layer
摘要（中）：
目的：提供一种使用湿蚀刻缓冲层制造垂直发光二极管的方法，其通过使用湿蚀刻缓冲层分离衬底和发光二极管器件，与低成本技术相比低成本地制造发光二极管 。 构成：在基板上形成包括凹凸部的缓冲层。 每个不平坦部分的尺寸为10nm至10μm。 在缓冲层的上部依次形成N型半导体，有源层和P型半导体。 在P型半导体上形成金属支撑层。 通过湿蚀刻除去缓冲层。 （附图标记）（AA，FF，LL）金属支撑层; （BB，GG，KK）P型半导体; （CC，HH，JJ）N型半导体; （DD）纳米金字塔缓冲层; （EE，II）基板; （MM）有源层
公开/授权文献:
- KR101238169B1 습식식각형 버퍼층을 이용한 수직형 발광다이오드 제조 방법 公开/授权日：2013-02-27