专利号KR1020127002485 | 이온 도금용 태블릿과 그 제조 방법, 및 투명 도전막

专利标题： 이온 도금용 태블릿과 그 제조 방법, 및 투명 도전막
专利标题（英）：Tablet for ion plating, method for producing same, and transparent conductive film
专利标题（中）：离子镀层片，其制造方法和透明导电膜
申请号：KR1020127002485 申请日：2010-07-29
公开(公告)号：KR1020120052255A 公开(公告)日：2012-05-23
发明人： 나카야마토큐유키 , 아베요쉬유키
申请人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
申请人地址： 일본 도쿄도 미나토쿠 신바시 *초메 **-*
专利权人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
当前专利权人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
当前专利权人地址： 일본 도쿄도 미나토쿠 신바시 *초메 **-*
代理人： 손창규
优先权： JPJP-P-2009-182761 2009-08-05
国际申请： PCT/JP2010/062816 2010-07-29
国际公布： WO2011016387 2011-02-10
主分类号： C04B35/453
IPC分类号： C04B35/453 ; C04B35/645 ; C23C14/08 ; C23C14/34

摘要：

본 발명은 청색 LED나 태양전지에 적절한 투명 도전막의 고속 성막 및 스플래쉬가 덜한(splash-less) 성막을 실현할 수 있는 이온 도금용 태블릿, 그것을 얻기 위해서 최적인 산화물 소결물체와 그 제조 방법에 관한 것이다. 산화물로서 인듐과 세륨을 함유하며 세륨의 함유량이 Ce / (In＋Ce) 원자수비로 0.3 ~ 9 원자%인 산화물 소결물체(oxide sintered body)를 가공하여 얻어진 이온 도금용 태블릿(tablet)이며, 상기 산화물 소결물체는, 빅스바이트(bixbyite)형 구조의 In
2 O
3 상이 주요 결정상이고, 제 2 상으로서 형석(fluorite)형 구조의 CeO
2 상이 평균 입경 3 m 이하의 결정립(crystal grains)으로 미세하게 분산되어 있으며; 산화물 소결물체는 평균 입경 1.5 m 이하의 산화 인듐 분말로 이루어진 원료 분말을 혼합한 후, 혼합 분말을 성형하여, 성형물을 상압 소결법에 따라 소결한 하거나, 또는 혼합 분말을 핫 프레스법에 따라 성형하여 소결하여 제조한다.

摘要（中）：

能够实现适合于蓝色LED或太阳能电池的透明导电膜的高速成膜，无节点成膜，最适合于获得该氧化物烧结体的溅射靶和制造方法它们。包含氧化铟和氧化铈的氧化物烧结体，并且还包含作为氧化物的一种或多种选自钛，锆，铪，钼和钨的金属元素组中的一种或多种金属元素（M元素）其中铈含量为0.3〜9原子％，作为Ce /（In + Ce + M）的原子数比，M元素含量为1原子％以下，原子比为M / （In + Ce + M），并且铈和M元素的总含量等于或低于9原子％，作为（Ce + M）/（In + Ce + M）的原子数比，其特征在于所述氧化物烧结体具有作为主晶相的二氧化物结构的In 2 O 3相，具有以平均粒径为3以下的晶粒微细分散的萤石型结构的CeO 2相 μm，作为第二相; 通过混合氧化铟粉末和氧化铈粉末得到的氧化物烧结体的制造方法以及含有M元素的氧化物粉末的平均粒径等于或小于1.5μm的原料粉末，然后将该混合粉末，并通过常压烧结法烧结成型体，或者通过热压法成型和烧结混合粉末等。

摘要（英）：

The present invention relates to a suitable transparent conductive film high-speed film formation and the splash is less (splash-less) tablet for ion which can realize film formation coating, optimum oxide sintered bodies and a method of manufacturing the same in order to get it to the blue LED or solar cell. Containing indium and cerium in the form of oxide, and a content of cerium Ce / (In + Ce) in the oxide sintered body 0.3 ~ 9 at% in atomic ratio tablet (tablet) for ion plating obtained by processing (oxide sintered body), the oxide sintered object, in Biggs byte crystal grains (crystal grains) of (bixbyite) structure below the in ₂ O ₃ phase main crystal shape, the second phase as a calcium fluoride (fluorite) type CeO ₂ different from the average particle diameter of the structure 3 m is finely dispersed and; The oxide sintered body has an average particle size of 1.5 were mixed with the raw material powder consisting of an indium oxide powder having less than m, by molding the mixed powder, sintering the one, or the mixed powder sintering according to the molded article to atmospheric pressure sintering was molded in accordance with the hot pressing prepared by.

KR101696859B1 이온 도금용 태블릿과 그 제조 방법, 및 투명 도전막 公开/授权日：2017-01-16

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C	化学；冶金
--C04	水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
----C04B	石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
------C04B35/00	以成分为特征的陶瓷成型制品（多孔制品入C04B38/00；以特殊造型为特征的制品见相关类，例如熔铸桶的衬里、中间包、浇口杯或类似物入B22D41/02）；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如金属陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
--------C04B35/01	.以氧化物为基料的
----------C04B35/453	..以氧化锌、氧化锡或氧化铋或与其他氧化物的固溶体为基料的

发明公开 KR1020120052255A 이온 도금용 태블릿과 그 제조 방법, 및 투명 도전막 有权

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