基本信息:
- 专利标题： 국부 발진기 신호 생성 장치 및 방법
- 专利标题（英）：Adjustable duty cycle circuit
- 专利标题（中）：用于产生本地振荡器信号的设备和方法
- 申请号：KR1020117028235 申请日：2008-11-09
- 公开(公告)号：KR1020120003962A 公开(公告)日：2012-01-11
- 发明人： 보수프레데릭 , 세고리아안토니프란시스
- 申请人： 퀄컴 인코포레이티드
- 申请人地址： **** Morehouse Drive, San Diego, CA *****-****, USA
- 专利权人： 퀄컴 인코포레이티드
- 当前专利权人： 퀄컴 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： **** Morehouse Drive, San Diego, CA *****-****, USA
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： US11/962,689 2007-12-21; US60/986,397 2007-11-08
- 国际申请： PCT/US2008/082926 2008-11-09
- 国际公布： WO2009062130 2009-05-14
- 主分类号： H03K3/017
- IPC分类号： H03K3/017 ; H03K5/156
摘要：
회로에 의해 생성된 신호의 듀티 싸이클을 조정 및 프로그래밍하기 위한 기술들이 개시된다. 일 실시형태에서, 병렬 트랜지스터들이 NAND 게이트와 공급 전압 사이에 커플링된다. 병렬 트랜지스터들을 선택적으로 인에이블하는 것은 NAND 게이트의 스위칭 포인트를 조정하여, 출력 신호의 펄스 폭의 제어를 허용한다. 다른 실시형태에서, NAND 게이트 내의 PMOS 대 NMOS 트랜지스터들의 사이즈는 동일한 효과를 달성하기 위해 선택적으로 변화된다. 측정된 2차 상호변조 산물들 및/또는 잔여 사이드밴드를 최소화하도록 수신기를 교정하기 위한 기술들의 애플리케이션들이 또한 개시된다.
摘要（中）：
公开了用于调整和编程由电路生成的信号的占空比的技术。 在一个实施例中，并联晶体管耦合在与非门和电源电压之间。 选择性地启用并联晶体管允许通过调整NAND门的开关点来控制输出信号的脉冲宽度。 在另一个实施例中，NAND门中的PMOS到NMOS晶体管的尺寸被选择性地改变以实现相同的效果。 还公开了用于校准接收器以使测量的二阶互调产物和/或残余边带最小化的技术的应用。
摘要（英）：
Techniques are disclosed for controlling and programming the duty cycle of the signal generated by the circuit. In one embodiment, the parallel transistors are coupled between the NAND gate and the voltage supply. It is for selectively enabling the parallel transistor to adjust the switching point of the NAND gate, and allows for control of the pulse width of the output signal. In other embodiments, the size of the PMOS transistors in the NAND gates for NMOS is selectively varied to achieve the same effect. Applications of the technology is also disclosed for correcting the measured second-order intermodulation products and / or the receiver so as to minimize the residual side band.
公开/授权文献:
- KR101207824B1 국부 발진기 신호 생성 장치 및 방법 公开/授权日：2012-12-04