基本信息:
- 专利标题： 다결정 실리콘층 제조 방법
- 专利标题（英）：Method for manufacturing poly crystalline silicon layer
- 专利标题（中）：制备聚晶硅层的方法
- 申请号：KR1020110137461 申请日：2011-12-19
- 公开(公告)号：KR1020120003418A 公开(公告)日：2012-01-10
- 发明人： 이병일 , 박경완 , 장희섭
- 申请人： 주식회사 테라세미콘
- 申请人地址： 경기 화성시 동탄면 경기동로 ***-**,
- 专利权人： 주식회사 테라세미콘
- 当前专利权人： 주식회사 테라세미콘
- 当前专利权人地址： 경기 화성시 동탄면 경기동로 ***-**,
- 代理人： 특허법인 수
- 主分类号： H01L21/324
- IPC分类号： H01L21/324
摘要：
PURPOSE: A method for manufacturing a multi crystal silicon layer is provided to efficiently promote crystallization by contacting an amorphous silicon layer with a metal mixed layer and performing a crystallization heat process. CONSTITUTION: An amorphous silicon layer(20) is formed on a substrate(10). A metal mixed layer(30) is formed on the amorphous silicon layer. The amorphous silicon layer is crystallized and thermally processed. The amorphous silicon layer is made with CVD(Chemical Vapor Deposition).
摘要（中）：
目的：提供一种制造多晶硅层的方法，以通过使非晶硅层与金属混合层接触并进行结晶热处理来有效促进结晶。 构成：在衬底（10）上形成非晶硅层（20）。 在非晶硅层上形成金属混合层（30）。 非晶硅层被结晶并热处理。 非晶硅层由CVD（化学气相沉积）制成。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/324 | .....用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结 |