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1. 发明授权

KR101524251B1 클러스터형 배치식 기판처리 시스템 有权
标题翻译：用于处理基板的集群式批处理系统
公开(公告)号：KR101524251B1
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：KR1020130066721
申请日：2013-06-11
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 이병일 , 이태완 , 유한길
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/205
摘要： 클러스터형배치식기판처리시스템이개시된다. 본발명에따른클러스터형배치식기판처리시스템은, 기판(40)이반입되는기판반입부(1); 배치경로(P)에따라수평으로배치되며, 배치경로(P)를기준으로일측또는양측에배치된복수개의배치식기판처리장치(9: 9a, 9b, 9c, 9d); 기판반입부(1)에서부터배치경로(P)를따라이동하며배치식기판처리장치(9: 9a, 9b, 9c, 9d)에기판(40)의로딩/언로딩을수행하는기판이송로봇(7); 및기판이송로봇(7)과연동하여배치경로(P)를따라이동하며, 기판(40)을임시로저장하는기판저장부(10)를포함하는것을특징으로한다.

2. 发明授权

KR101512329B1 배치식 기판처리 장치 有权
公开(公告)号：KR101512329B1
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：KR1020130072880
申请日：2013-06-25
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 이병일 , 이태완 , 유한길
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
摘要： 배치식기판처리장치가개시된다. 본발명에따른배치식기판처리장치는, 복수개의기판(40)이적층된기판적재부(500)가수용되는기판처리부(100); 및기판처리부(100)에기판처리가스를공급하는가스공급부(200)를포함하며, 기판처리부(100)는플랫한최상면을구비하는것을특징으로한다.

3. 发明公开

KR1020150000605A 배치식 기판처리 장치 有权
标题翻译：用于处理基板的批量类型设备
公开(公告)号：KR1020150000605A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：KR1020130072880
申请日：2013-06-25
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 이병일 , 이태완 , 유한길
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67034 , H01L21/0228 , H01L21/324 , H01L21/67098
摘要： 배치식 기판처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 배치식 기판처리 장치는, 복수개의 기판(40)이 적층된 기판적재부(500)가 수용되는 기판처리부(100); 및 기판처리부(100)에 기판처리 가스를 공급하는 가스 공급부(200)를 포함하며, 기판처리부(100)는 플랫한 최상면을 구비하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：公开了能够减少内部空间的间歇式基板处理装置。根据本发明的间歇式基板处理装置包括：基板处理单元（100），其接收堆叠有多个基板（40）的基板装载单元（500）;以及气体供给单元（200），其供给衬底处理气体到衬底处理单元（100）。基板处理单元（100）具有平坦的最上表面。

4. 发明公开

KR1020130121265A 배치식 장치 有权
标题翻译：批量类型设备
公开(公告)号：KR1020130121265A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：KR1020120044303
申请日：2012-04-27
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 이병일 , 박경완 , 유한길
IPC分类号： H01L21/205
摘要： A batch type apparatus is disclosed. In the batch type apparatus according to the present invention, a gas supply part is integrated with a gas discharge part. A housing surrounds the outer surface of a process tube. Components are installed between the housing and the process tube. Therefore, if there is an error in the components including the process tube, the components and the housing are separated to repair and maintenance are facilitated. Also, because the process tube including the housing is replaced, convenience is improved. Because all components are installed to the outside of the process tube, a gap between the inner surface of the process tube and the outer surface of the substrate is minimized. Then, because the space of the chamber is minimized, the amount of reaction gas used is saved. Also, the productivity of a deposition process is improved by reducing the time of a deposition process.
摘要翻译：公开了一种分批式设备。在本发明的间歇式装置中，气体供给部与气体排出部一体化。壳体围绕处理管的外表面。组件安装在外壳和工艺管之间。因此，如果在包括处理管的部件中存在误差，则部件和壳体被分离以便于修理和维护。而且，由于包括壳体的处理管被更换，所以方便性得到改善。因为所有部件都安装在处理管的外部，所以处理管的内表面和基板的外表面之间的间隙最小化。然后，由于室的空间被最小化，所以可以节省使用的反应气体的量。此外，通过减少沉积工艺的时间来提高沉积工艺的生产率。

5. 发明授权

KR101258621B1 인라인 열처리 장치 有权
标题翻译：在线热处理系统
公开(公告)号：KR101258621B1
公开(公告)日：2013-04-30
申请号：KR1020110058101
申请日：2011-06-15
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 이병일
IPC分类号： H01L21/324
摘要： 인라인 열처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 인라인 열처리 장치는, 열팽창을 고려하여 상호 인접하는 가열로가 상호 간격을 가지고, 상호 인접하는 가열로 사이는 실링된다. 따라서, 수리가 필요한 어느 하나의 가열로의 양측면을 지그로 집어서, 분리해 낼 수 있으므로, 유지 보수가 간편한 효과가 있다. 그리고, 각 가열로의 상면 또는 후면을 개방할 수 있으므로, 더욱 유지 보수가 간편한 효과가 있다.
摘要翻译：公开了一种内联热处理设备。在根据本发明的在线热处理设备中，考虑到热膨胀，彼此相邻的加热炉具有相互间隙并且被密封在彼此相邻的加热炉之间。因此，可以收集和分离需要修理的一个加热炉的两侧，从而易于维护。此外，由于每个加热炉的上表面或后表面可以打开，所以具有维护进一步简化的效果。

6. 发明授权

KR101258982B1 인라인 열처리 장치 有权
标题翻译：在线热处理系统
公开(公告)号：KR101258982B1
公开(公告)日：2013-04-26
申请号：KR1020110050944
申请日：2011-05-27
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 이병일
IPC分类号： H01L21/324
摘要： 인라인 열처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 인라인 열처리 장치는, 상호 인접하는 가열로와 가열로의 연통 부위가 실링부재에 의하여 외측과 실링되므로, 연속적으로 설치된 가열로 내부의 열처리 분위기가 지속적으로 유지된다. 따라서, 생산성이 향상되는 효과가 있다. 그리고, 가열로가 2층 구조로 설치되므로, 기판의 열처리 작업시, 작업자의 이동 거리가 단축된다. 따라서, 생산성이 더욱 향상되는 효과가 있다. 그리고, 기판이 최초로 투입되는 가열로 및 기판이 최종으로 배출되는 가열로에는 로드락부가 설치되므로, 연속적으로 설치된 가열로의 열처리 분위기는 더욱 지속적으로 유지된다. 따라서, 생산성이 더욱 더 향상되는 효과가 있다.
摘要翻译：公开了一种内联热处理设备。根据本发明的在线热处理系统中，由于通过加热到外部，并通过密封部件密封所述相互相邻的加热的通信区域，连续地安装在加热炉的热处理气氛的内部被持续地维持。因此，生产率得到提高。由于加热炉具有双层结构，因此在基板的热处理期间缩短了操作者的移动距离。因此，生产率进一步提高。而且，因为在负载锁定被添加到加热设备，其中所述衬底被加热到这个和衬底被引入到第一出口端，连续地设置在炉的热处理气氛是进一步持续。因此，生产率进一步提高。

7. 发明授权

KR101258629B1 인라인 열처리 장치 및 그 기판 이송 방법 有权
标题翻译：在线式热处理装置及其运输基板的方法
公开(公告)号：KR101258629B1
公开(公告)日：2013-04-26
申请号：KR1020110050943
申请日：2011-05-27
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 이병일
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/677
摘要： 인라인 열처리 장치 및 그 기판 이송 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 인라인 열처리 장치 및 그 기판 이송 방법은, 기판을 이송하는 이송수단에 의하여 기판이 들어 올려져서 이송된다. 그러므로, 기판과 기판을 이송시키기 위한 부품들 사이에 마찰이 없으므로, 마찰에 의하여 파티클(Particle)이 발생되는 것이 방지된다. 따라서, 파티클에 의한 기판의 손상이 없으므로, 제품의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다. 또한, 기판을 이송시키기 위한 부품들이 마찰에 의하여 마모되지 않으므로, 기판을 정확하게 이송시킬 수 있다. 따라서, 기판의 열처리 공정시, 에러가 발생되지 않으므로, 생산성이 향상되는 효과가 있다.

8. 发明公开

KR1020120124192A 인라인 열처리 장치 및 그 온도 제어 방법 无效
标题翻译：在线式热处理装置及其控制温度的方法
公开(公告)号：KR1020120124192A
公开(公告)日：2012-11-13
申请号：KR1020110041935
申请日：2011-05-03
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 이병일
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67098 , H01L21/324 , H01L21/67173 , H01L21/6776
摘要： PURPOSE: An inline heating treatment apparatus and temperature control method thereof are provided to prevent damage to a substrate due to thermal shock or thermal stress by linearly converting the temperature of a plurality of heating chambers which is consecutively arranged. CONSTITUTION: A heating part heats a substrate with predetermined temperature and transfers it to a process module(300). The heating part comprises heating chambers(210,220,230) which are independently controlled. The process module heat-treats the substrate which is transferred from the heating part at the predetermined thermal annealing temperature. A cooling part(400) cools the substrate which is transferred from the process module with predetermined temperature. An unloading part(500) comprises a heating chamber(510) which includes a main body(511) and a plurality of rollers(513).
摘要翻译：目的：提供在线加热处理装置及其温度控制方法，以通过线性转换连续布置的多个加热室的温度来防止由于热冲击或热应力而对基板的损坏。构成：加热部件以预定温度加热基板并将其传送到处理模块（300）。加热部分包括独立控制的加热室（210,220,230）。处理模块在预定的热退火温度下对从加热部分转移的基板进行热处理。冷却部件（400）冷却从处理模块传送的预定温度的基板。卸载部件（500）包括加热室（510），其包括主体（511）和多个辊（513）。

9. 发明授权

KR101126106B1 소스가스 공급장치 有权
标题翻译：供气源装置
公开(公告)号：KR101126106B1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020080106630
申请日：2008-10-29
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 이병일 , 장석필 , 박경완
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 화학기상 증착법에 의한 박막 증착시 원료가 되는 소스물질을 가스화하여 증착챔버 내로 공급하는 소스가스 공급장치가 개시된다. 본 발명에 따른 소스가스 공급장치(200)는 소스물질을 가열하여 소스가스를 생성하는 소스가스 생성부(210); 및 소스가스 생성부(210)에서 생성된 소스가스가 유입되어 응축되는 소스가스 응축부(240)를 포함하되, 소스가스 응축부(240)에 응축된 소스가스(245)의 응축량이 포화 응축량에 도달할 때까지 소스가스 생성부(210)로부터 소스가스 응축부(240)로 소스가스의 유입을 진행하여 소스가스 응축부(240)에 소스가스를 응축시키고, 소스가스 응축부(240)에 응축된 소스가스(245)의 응축량이 포화 응축량에 도달한 이후는 소스가스 생성부(210)로부터 소스가스 응축부(240)로 소스가스의 유입을 차단하고 소스가스 응축부(240)에 응축되어 있던 소스가스를 증착챔버(250)로 유입시키는 것을 특징으로 한다.
화학기상 증착법, 소스가스, 운반가스, 박막증착, 압력 제어, 유량 제어

10. 发明公开

KR1020120003418A 다결정 실리콘층 제조 방법 无效
标题翻译：制备聚晶硅层的方法
公开(公告)号：KR1020120003418A
公开(公告)日：2012-01-10
申请号：KR1020110137461
申请日：2011-12-19
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 이병일 , 박경완 , 장희섭
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/02491 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02667
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a multi crystal silicon layer is provided to efficiently promote crystallization by contacting an amorphous silicon layer with a metal mixed layer and performing a crystallization heat process. CONSTITUTION: An amorphous silicon layer(20) is formed on a substrate(10). A metal mixed layer(30) is formed on the amorphous silicon layer. The amorphous silicon layer is crystallized and thermally processed. The amorphous silicon layer is made with CVD(Chemical Vapor Deposition).
摘要翻译：目的：提供一种制造多晶硅层的方法，以通过使非晶硅层与金属混合层接触并进行结晶热处理来有效促进结晶。构成：在衬底（10）上形成非晶硅层（20）。在非晶硅层上形成金属混合层（30）。非晶硅层被结晶并热处理。非晶硅层由CVD（化学气相沉积）制成。

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