基本信息:
- 专利标题: 반도체 물질 제조
- 专利标题(英):Semiconductor material manufacture
- 专利标题(中):半导体材料制造
- 申请号:KR1020117020521 申请日:2010-02-04
- 公开(公告)号:KR1020110120310A 公开(公告)日:2011-11-03
- 发明人: 신하,니샨트 , 샌드후,거테즈에스. , 스미스,존
- 申请人: 마이크론 테크놀로지, 인크.
- 申请人地址: **** South Federal Way, Boise, ID, U.S.A.
- 专利权人: 마이크론 테크놀로지, 인크.
- 当前专利权人: 마이크론 테크놀로지, 인크.
- 当前专利权人地址: **** South Federal Way, Boise, ID, U.S.A.
- 代理人: 양영준; 백만기
- 优先权: US12/365,734 2009-02-04
- 国际申请: PCT/US2010/023230 2010-02-04
- 国际公布: WO2010091200 2010-08-12
- 主分类号: H01L21/20
- IPC分类号: H01L21/20
摘要:
전자 장치, 시스템들, 및 방법들은 웨이퍼 혹은 기판의 벌크 영역에 본딩된 반도체층을 포함하며, 상기 반도체층은 전자기 방사를 사용하여 상기 벌크 영역에 본딩될 수 있다. 추가의 장치, 시스템들, 및 방법들이 개시된다.
摘要(英):
Electronic devices, systems, and methods comprise a semiconductor layer bonded to the bulk region of the wafer or substrate, the semiconductor layer may be bonded to the bulk region by using electromagnetic radiation. Additional apparatus, systems, and methods are disclosed.
公开/授权文献:
- KR101597386B1 반도체 물질 제조 公开/授权日:2016-02-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长 |