基本信息:
- 专利标题： 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：Light emitting diode device and manufacturing method thereof
- 专利标题（中）：发光二极管器件及其制造方法
- 申请号：KR1020100037323 申请日：2010-04-22
- 公开(公告)号：KR1020110117856A 公开(公告)日：2011-10-28
- 发明人： 정수진 , 박성은 , 정훈재 , 손철수 , 손중곤 , 박영민
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 특허법인씨엔에스
- 主分类号： H01L33/20
- IPC分类号： H01L33/20 ; H01L33/12
摘要：
본 발명은 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법을 개시한다.
발광다이오드 소자는 기판상에 배치된 제 1 전도층; 상기 제 1 전도층상에 배치되며, 나노 사이즈의 너비를 가지며 상기 제 1 전도층을 노출하는 다수의 개구를 갖는 유전체 패턴; 상기 각 개구의 상기 제 1 전도층상에 배치된 나노 격벽을 포함하는 활성 패턴; 상기 유전체 패턴에 의해 상기 제 1 전도층과 절연되며, 상기 나노 격벽의 외주면을 따라 배치된 제 2 전도층; 및 상기 제 1 및 제 2 전도층과 각각 전기적으로 연결된 전극들;을 포함할 수 있다.
摘要（英）：
발광다이오드 소자는 기판상에 배치된 제 1 전도층; 상기 제 1 전도층상에 배치되며, 나노 사이즈의 너비를 가지며 상기 제 1 전도층을 노출하는 다수의 개구를 갖는 유전체 패턴; 상기 각 개구의 상기 제 1 전도층상에 배치된 나노 격벽을 포함하는 활성 패턴; 상기 유전체 패턴에 의해 상기 제 1 전도층과 절연되며, 상기 나노 격벽의 외주면을 따라 배치된 제 2 전도층; 및 상기 제 1 및 제 2 전도층과 각각 전기적으로 연결된 전극들;을 포함할 수 있다.
The present invention discloses a light emitting diode device and a manufacturing method thereof.
Light-emitting diode device includes a first conductive layer disposed on the substrate; The first conductive layer disposed on the dielectric pattern has a width of nano size having a plurality of openings to expose the first conductive layer; Activity pattern comprising the nano partition wall disposed on the first conductive layer of each of the openings; By the dielectric pattern is insulated from the first conductive layer, a second conductivity disposed along the outer circumferential surface of the nano-barrier layer; It may include a; and the first and the second conductive layer and an electrode electrically connected to each.