基本信息:
- 专利标题： 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법
- 专利标题（英）：Method of manufacturing graphene using germanium layer
- 专利标题（中）：使用锗层制造石墨的方法
- 申请号：KR1020100029509 申请日：2010-03-31
- 公开(公告)号：KR1020110109680A 公开(公告)日：2011-10-06
- 发明人： 이은경 , 최병룡 , 황동목 , 이재현
- 申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사,성균관대학교산학협력단
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사,성균관대학교산학협력단
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 리앤목특허법인
- 主分类号： C01B31/02
- IPC分类号： C01B31/02 ; C23C16/26
摘要：
게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법이 개시된다. 개시된 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법은, 기판 상에 게르마늄층을 형성하는 단계와, 상기 기판이 배치된 챔버 내에 탄소함유 개스를 공급하여 상기 게르마늄층 상에 직접 그래핀을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 그래핀 제조방법은 촉매금속층을 사용하지 않으므로, 촉매금속으로 오염되지 않은 그래핀층을 제조할 수 있다.
摘要（英）：
본 발명의 실시예에 따른 그래핀 제조방법은 촉매금속층을 사용하지 않으므로, 촉매금속으로 오염되지 않은 그래핀층을 제조할 수 있다.
The graphene manufacturing method using a germanium layer is disclosed. Disclosed Yes Using germanium layer fin manufacturing method, comprising the steps of forming a germanium layer on the substrate, and the substrate is applied a carbon-containing gas within the arrangement chamber yes directly on the germanium layer to a step of forming the pin can.
Graphene production method according to an embodiment of the present invention can be prepared yes the pinned layer because it does not use a catalytic metal layer, it is not contaminated with metal catalyst.
公开/授权文献:
- KR101758649B1 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법 公开/授权日：2017-07-18