基本信息:
- 专利标题： 식각액, 식각액을 사용한 게이트 절연막의 형성 방법 및 식각액을 사용한 반도체 소자의 제조 방법
- 专利标题（英）：Etching solution, method of forming a gate insulation layer using a etching solution and method of manufacturing a semiconductor device using a etching solution
- 专利标题（中）：蚀刻方法，使用蚀刻溶液形成栅绝缘层的方法和使用蚀刻溶液制造半导体器件的方法
- 申请号：KR1020100019502 申请日：2010-03-04
- 公开(公告)号：KR1020110100480A 公开(公告)日：2011-09-14
- 发明人： 이효산 , 윤보언 , 이근택 , 조학주 , 현상진 , 나훈주 , 홍형석
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 박영우
- 主分类号： C09K13/08
- IPC分类号： C09K13/08
摘要：
고유전막과 식각 선택비를 가지고, 상기 고유전막의 조성을 변화시켜 문턱전압을 조절하는 캡핑막을 식각 대상막으로 하는 식각액은 0.01에서 3wt％의 산, 10wt％에서 40wt％의 불화염 및 용매를 포함한다. 상기 식각액을 사용하면, 고유전막의 데미지가 거의 발생되지 않아 우수한 특성의 고유전막을 형성할 수 있다.
摘要（英）：
It has a high-dielectric-constant and the etch selectivity, and etch of the capping film is a film etching target to control the threshold voltage by changing the composition of the high-dielectric-constant includes a light flame, and the solvent of 40wt% in the acid, 10wt% of 3wt% 0.01 . With the above etching liquid, the damage of the high-dielectric-constant hardly occurs can form a high-dielectric-constant of excellent properties.
公开/授权文献:
- KR101627509B1 식각액, 식각액을 사용한 게이트 절연막의 형성 방법 및 식각액을 사용한 반도체 소자의 제조 방법 公开/授权日：2016-06-08
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C09 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 |
| ----C09K | 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 |
| ------C09K13/00 | 蚀刻，表面光亮或浸渍组合物 |
| --------C09K13/04 | .含一种无机酸 |
| ----------C09K13/08 | ..含一种氟化物 |