基本信息:
- 专利标题： 구리 세척 및 보호 조성물
- 专利标题（英）：Copper cleaning and protection formulations
- 专利标题（中）：铜清洁和保护制剂
- 申请号：KR1020117011398 申请日：2009-10-20
- 公开(公告)号：KR1020110086092A 公开(公告)日：2011-07-27
- 发明人： 반스제프리에이 , 베낙브라이언 , 보그스칼이 , 펑린 , 리우준 , 페트루스카멜리사에이 , 얀시야오동 , 장펑
- 申请人： 엔테그리스, 아이엔씨.
- 申请人地址： *** Concord Road, Billerica, Massachusetts *****, U.S.A.
- 专利权人： 엔테그리스, 아이엔씨.
- 当前专利权人： 엔테그리스, 아이엔씨.
- 当前专利权人地址： *** Concord Road, Billerica, Massachusetts *****, U.S.A.
- 代理人： 양영준; 김영
- 优先权： US61/107,319 2008-10-21; US61/118,221 2008-11-26
- 国际申请： PCT/US2009/061263 2009-10-20
- 国际公布： WO2010048139 2010-04-29
- 主分类号： C11D3/30
- IPC分类号： C11D3/30 ; C11D1/62
摘要：
본 발명은, 화학적-기계적 연마(CMP) 후에 상부에 잔사 및 오염물을 갖는 마이크로전자장치로부터 상기 잔사 및 오염물을 세척하기 위한 세척 조성물 및 세척 방법에 관한 것이다. 상기 조성물은 저-k 유전 물질 또는 구리 상호접속 물질의 희생 없이, 상기 마이크로전자장치의 표면으로부터 CMP-후 잔사 및 오염물을 고도로 효과적으로 세척한다.
摘要（中）：
一种清洁组合物和用于从具有所述残余物和污染物的微电子装置清洁后化学机械抛光（CMP）残留物和污染物的清洁组合物和方法。 清洁组合物包括新的腐蚀抑制剂。 该组合物可以在不影响低k电介质材料或铜互连材料的情况下从微电子器件的表面高效地清洁后CMP残留物和污染物质。
摘要（英）：
The present invention, a chemical-will from a microelectronic device having a residue and contaminants on the top after mechanical polishing (CMP) of the cleaning compositions and cleaning methods for cleaning the residue and contaminants. The composition low -k dielectric material and copper interconnects, and the residue was washed contaminants highly effective after CMP- from the surface of the microelectronic device without sacrifice of the material.
公开/授权文献:
- KR101752684B1 구리 세척 및 보호 조성물 公开/授权日：2017-07-04
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C11 | 动物或植物油、脂、脂肪物质或蜡；由此制取的脂肪酸；洗涤剂；蜡烛 |
| ----C11D | 洗涤剂组合物；用单一物质作为洗涤剂；皂或制皂；树脂皂；甘油的回收 |
| ------C11D3/00 | 包括在C11D1/00组内之洗涤组合物的其他配料成分 |
| --------C11D3/02 | .无机化合物 |
| ----------C11D3/26 | ..含氮的 |
| ------------C11D3/30 | ...胺；取代胺 |