基本信息:
- 专利标题： 자기 메모리 소자, 그 구동 방법 및 불휘발성 기억장치
- 专利标题（英）：Magnetic memory element, method for driving the magnetic memory element, and nonvolatile storage device
- 专利标题（中）：磁记忆元件，用于驱动磁记忆元件的方法和非易失存储器件
- 申请号：KR1020107009651 申请日：2008-08-28
- 公开(公告)号：KR1020100094974A 公开(公告)日：2010-08-27
- 发明人： 오기모토,야스시 , 카와카미,하루오
- 申请人： 후지 덴키 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-*, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa ***-****, Japan
- 专利权人： 후지 덴키 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 후지 덴키 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-*, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa ***-****, Japan
- 代理人： 특허법인 남앤드남
- 优先权： JPJP-P-2007-327175 2007-12-19
- 国际申请： PCT/JP2008/065410 2008-08-28
- 国际公布： WO2009078202 2009-06-25
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115 ; H01L21/8247
摘要：
크로스포인트형 메모리를 실현하기 위해, 프리층(5)과, 비자성층(4)과, 핀층(3)을 구비하는 스핀 밸브 구조를 갖는 자기 메모리 소자(10)로서, 프리층(5)의 일방의 면에 다른 비자성층(6)을 구비하며, 상기 다른 비자성층(6)을 프리층(5)과 함께 사이에 끼우도록 자기 특성이 온도에 따라 변화하는 자성 재료의 자기 변화층(7)을 더 구비한다. 자기 변화층은, 온도에 따라 자화가 증대하며, 또한 자화 방향이 막면에 경사지는 자성층을 설치하는 것으로 할 수도 있다.
摘要（英）：
In order to realize the cross-point memory, one of the free layer 5, a non-magnetic layer 4 and a pinned layer 3, a magnetic memory device 10 has a spin valve structure, the free layer 5 having a having a different non-magnetic layer (6) on the surface of, and the other non-magnetic layer (6), the free layer 5 and the subject changing layer (7) of magnetic material, the magnetic properties to sandwich variation with temperature with a and further provided. The magnetic layer is changed, and the magnetization increases with the temperature, also may be that the magnetic layer has the magnetization direction is installed inclined to the film surface.
公开/授权文献:
- KR101397654B1 자기 메모리 소자, 그 구동 방법 및 불휘발성 기억장치 公开/授权日：2014-05-22
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |