基本信息:
- 专利标题： 저유전 상수를 갖는 절연막 및 이를 이용한 에어갭 제조 방법
- 专利标题（英）：Method of manufacturing a low k dielectric film and manufacturing air-gap using the low k dielectric film
- 专利标题（中）：使用低K电介质膜制造低K电介质膜和制造空气隙的方法
- 申请号：KR1020080101130 申请日：2008-10-15
- 公开(公告)号：KR1020100042022A 公开(公告)日：2010-04-23
- 发明人： 양재영
- 申请人： 주식회사 디비하이텍
- 申请人地址： 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (대치동)
- 专利权人： 주식회사 디비하이텍
- 当前专利权人： 주식회사 디비하이텍
- 当前专利权人地址： 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (대치동)
- 代理人： 박영복; 김용인
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; H01L21/31
摘要：
PURPOSE: A method for manufacturing a low k dielectric layer and a method for manufacturing an air-gap using the same are provided to improve the dielectric constant and the mechanical strength of the dielectric layer using an inductively coupled plasma thermal annealer(ICP-RTA). CONSTITUTION: Trimethylsilane and 3,3-dimethyl-1-butene are supplied to a reaction chamber to deposit a plasma(S110). The trimethylsilane and the 3,3-dimethyl-1-butene are polymerized using the plasma in order to deposit a dielectric layer on a substrate(S120). A thermal treatment and an induced coupled plasma processes are simultaneously performed on the dielectric layer by an ICP-RTA(S130).
摘要（中）：
目的：提供一种制造低k电介质层的方法和使用该方法制造气隙的方法，以使用电感耦合等离子体热退火炉（ICP-RTA）来提高介电常数和介电层的机械强度， 。 构成：将三甲基硅烷和3,3-二甲基-1-丁烯供应到反应室以沉积等离子体（S110）。 使用等离子体聚合三甲基硅烷和3,3-二甲基-1-丁烯以在基板上沉积电介质层（S120）。 通过ICP-RTA在电介质层上同时进行热处理和感应耦合等离子体处理（S130）。
公开/授权文献:
- KR101015534B1 저유전 상수를 갖는 절연막 및 이를 이용한 에어갭 제조 방법 公开/授权日：2011-02-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |