基本信息:
- 专利标题： 에너지 변환층을 사용하는 상변화 메모리 소자, 그것을 포함하는 메모리 어레이와 시스템, 및 그것의 제조 방법과 사용 방법
- 专利标题（英）：Phase change memory elements using energy conversion layers, memory arrays and systems including same, and methods of making and using
- 专利标题（中）：使用能量转换层，存储器阵列和包括其的系统的相变记忆元件，以及制造和使用方法
- 申请号：KR1020097005104 申请日：2007-07-24
- 公开(公告)号：KR1020090042307A 公开(公告)日：2009-04-29
- 发明人： 리우,준 , 바이올렛,마이크 , 댈리,존
- 申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
- 申请人地址： **** South Federal Way, Boise, ID, U.S.A.
- 专利权人： 마이크론 테크놀로지, 인크
- 当前专利权人： 마이크론 테크놀로지, 인크
- 当前专利权人地址： **** South Federal Way, Boise, ID, U.S.A.
- 代理人： 한양특허법인
- 优先权： US11/504,002 2006-08-15
- 国际申请： PCT/US2007/016588 2007-07-24
- 国际公布： WO2008020961 2008-02-21
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115 ; H01L45/00 ; H01L21/8247
摘要：
A phase change memory element (100) and method of forming the same. The memory element includes a phase change material layer (24) electrically coupled to first (14) and second (22) conductive material layers. A energy conversion layer (18) is formed in association with the phase change material layer, and electrically coupled to a third conductive material layer (26). An electrically isolating material layer (17) is formed between the phase change material layer and the energy conversion layer.
摘要（中）：
相变存储元件（100）及其形成方法。 存储元件包括电耦合到第一（14）和第二（22）导电材料层的相变材料层（24）。 与相变材料层相关联地形成能量转换层（18），并且电耦合到第三导电材料层（26）。 在相变材料层和能量转换层之间形成电绝缘材料层（17）。
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |