基本信息:
- 专利标题： 이피롬(ＥＰＲＯＭ, ＥｒａａｂｌｅＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ ＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ)소자의 셀 구조 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：Cell structure of EPROM device and fabrication thereof
- 专利标题（中）：EEPROM器件的细胞结构及其制备方法
- 申请号：KR1020030001814 申请日：2003-01-11
- 公开(公告)号：KR1020040064925A 公开(公告)日：2004-07-21
- 发明人： 이준형 , 김병선 , 이태정
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 이영필
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115
摘要：
PURPOSE: A cell structure of an EEPROM device and a fabricating method thereof are provided to erase easily charges of programmed cells by forming windows on both sides of the first floating gate. CONSTITUTION: A cell structure of an EEPROM device includes a stack part and a floating gate transistor part. The stack part includes a semiconductor substrate, a first floating gate, a nitride layer pattern, a control gate, and a window. The first floating gate(107b), the nitride layer pattern(115b) including a nitride layer, and the control gate(117) are formed on the semiconductor substrate(101). The window(129) is formed on both sides of the first floating gate to erase charges of the first floating gate. The floating gate transistor part includes a gate insulating layer, a second floating gate, and a source/drain. The gate insulating layer is formed on the semiconductor substrate. The second floating gate is formed on the gate insulating layer. The source/drain is aligned to the second floating gate.
摘要（中）：
目的：提供EEPROM器件的单元结构及其制造方法，通过在第一浮栅的两侧形成窗口来容易地擦除编程单元的电荷。 构成：EEPROM器件的单元结构包括堆叠部分和浮动栅极晶体管部分。 堆叠部分包括半导体衬底，第一浮动栅极，氮化物层图案，控制栅极和窗口。 在半导体衬底（101）上形成有第一浮栅（107b），包括氮化物层的氮化物层图案（115b）和控制栅极（117）。 窗口（129）形成在第一浮动栅极的两侧以擦除第一浮动栅极的电荷。 浮栅晶体管部分包括栅极绝缘层，第二浮栅和源极/漏极。 栅极绝缘层形成在半导体衬底上。 第二浮栅形成在栅极绝缘层上。 源极/漏极与第二个浮动栅极对准。
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |