基本信息:
- 专利标题： 반도체메모리소자의캐패시터형성방법
- 专利标题（英）：Method of fabricating semiconductor device
- 专利标题（中）：制造半导体器件的方法
- 申请号：KR1019980024427 申请日：1998-06-26
- 公开(公告)号：KR1020000003232A 公开(公告)日：2000-01-15
- 发明人： 안기철 , 이상익 , 소홍선
- 申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 申请人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 代理人： 최종식; 박정후; 정지원; 특허법인신성
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027
摘要：
PURPOSE: The method can prevent that a polysilicon film remains on the bottom of a sacrificial film(27) formed to fill an open aperture and acts as a pollution source, in the process of forming a bottom electrode of a capacitor by forming the open aperture. CONSTITUTION: The method can solve the problem resulting from that a burying oxide film remains in a peripheral circuit region by omitting the process of forming the burying oxide film to bury an open aperture, by comprising the steps of: forming the open aperture to form a bottom electrode(28A) pattern of a capacitor in a cell region; forming a polysilicon film(28) for bottom electrode on the whole structure; removing the polysilicon film for bottom electrode formed on the peripheral circuit region by selective etching process; and forming the bottom electrode pattern by polishing the polysilicon film for bottom electrode on the cell region.
摘要（中）：
目的：该方法可以防止在通过形成开孔来形成电容器的底电极的过程中，多晶硅膜保留在形成为填充开孔的牺牲膜（27）的底部并用作污染源 。 构成：该方法可以解决由于通过省略形成埋入氧化物膜以掩埋开口的过程而将掩埋氧化物膜残留在外围电路区域中的问题，包括以下步骤：形成开孔以形成 电池区域中的电容器的底部电极（28A）图案; 在整个结构上形成用于底部电极的多晶硅膜（28）; 通过选择性蚀刻工艺除去形成在外围电路区域上的底部电极的多晶硅膜; 以及通过在单元区域上研磨用于底部电极的多晶硅膜来形成底部电极图案。
公开/授权文献:
- KR100312027B1 반도체메모리소자의캐패시터형성방법 公开/授权日：2002-01-17
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |