基本信息:
- 专利标题: 이온 주입된 샘플의 특성을 평가하는 방법
- 专利标题(英):METHOD OF EVALUATING CHARACTERISTICS OF ION IMPLANTED SAMPLE
- 申请号:KR1020160134896 申请日:2016-10-18
- 公开(公告)号:KR101943714B1 公开(公告)日:2019-01-29
- 发明人: 추앙쿠오셍 , 초우유후아
- 申请人: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 申请人地址: No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 专利权人: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人地址: No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 代理人: 김태홍; 김진회
- 优先权: US62/256,964 2015-11-18; US15/158,531 2016-05-18
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66 ; H01L21/265 ; G03F7/24
公开/授权文献:
- KR1020170058265A 이온 주입된 샘플의 특성을 평가하는 방법 公开/授权日:2017-05-26
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |