基本信息:
- 专利标题: 반도체 메모리 소자의 커패시터 및 그 제조 방법
- 专利标题(英):KR101932588B1 - Capacitor for semiconductor memory element and method for manufacturing the same
- 申请号:KR1020170026311 申请日:2017-02-28
- 公开(公告)号:KR101932588B1 公开(公告)日:2018-12-27
- 发明人: 편정준 , 조철진 , 김상태 , 정두석 , 백승협 , 강종윤 , 최지원 , 김진상 , 김성근
- 申请人: 한국과학기술연구원
- 申请人地址: 서울특별시 성북구 화랑로**길 * (하월곡동)
- 专利权人: 한국과학기술연구원
- 当前专利权人: 한국과학기술연구원
- 当前专利权人地址: 서울특별시 성북구 화랑로**길 * (하월곡동)
- 代理人: 박영우; 김민태
- 主分类号: H01L49/02
- IPC分类号: H01L49/02 ; H01L27/108
摘要:
개시된 반도체 메모리 소자의 커패시터는, 하부 전극, 상기 하부 전극 위에 배치되며 티타늄 산화물을 포함하는 유전막 및 상기 유전막 위에 배치되는 상부 전극을 포함한다. 상기 하부 전극은, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하고, 상기 제1 금속은 백금(Pt), 오스뮴(Os), 로듐(Rh) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 금속은, 루테늄(Ru) 및 이리듐(Ir)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
摘要(英):
Disclosed a capacitor of a semiconductor memory device, the lower electrode is disposed on the lower electrode and an upper electrode disposed on the dielectric film and the dielectric film containing titanium oxide. Wherein the lower electrode is, the first comprises a metal and second metal, the first metal comprises platinum (Pt), osmium (Os), rhodium, at least one selected from the group consisting of (Rh) and palladium (Pd) the second metal is, includes at least one selected from the group consisting of ruthenium (Ru), and iridium (Ir).
公开/授权文献:
- KR1020180099197A 반도체 메모리 소자의 커패시터 및 그 제조 방법 公开/授权日:2018-09-05