基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치 및 그 제작 방법
- 专利标题（英）：Semiconductor device and manufacturing method thereof
- 申请号：KR1020160089231 申请日：2016-07-14
- 公开(公告)号：KR101774745B1 公开(公告)日：2017-09-05
- 发明人： 야마자키순페이 , 아키모토켄고 , 카와에다이스케
- 申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 申请人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 代理人： 이화익; 김홍두
- 优先权： JPJP-P-2008-287187 2008-11-07
- 主分类号： H01L29/417
- IPC分类号： H01L29/417 ; H01L29/786 ; H01L27/12 ; H01L21/02
In the thin film transistor of the bottom gate type, and provides a structure and a manufacturing method for the relief of electric field concentration that might occur between the source electrode and the drain electrode to suppress the deterioration of the switching characteristics. A thin film transistor of the bottom gate type having a source electrode and the oxide semiconductor layer over the drain electrode, and by an oxide angle θ2 of the side of the angle θ1 and a drain electrode on the side of the source electrode in contact with the semiconductor layer is set to be not less than 20 ° Less than 90 °, the larger the distance of the electrode to the bottom electrode from a top of the side of the source electrode and the drain electrode.
公开/授权文献:
- KR1020160088276A 반도체 장치 및 그 제작 방법 公开/授权日：2016-07-25
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/417 | ...通有待整流、放大或切换电流的 |