基本信息:
- 专利标题： 박막 증착을 위한 장치
- 专利标题（英）：An apparatus for thin-film deposition
- 专利标题（中）：薄膜沉积装置
- 申请号：KR1020120060193 申请日：2012-06-05
- 公开(公告)号：KR101479480B1 公开(公告)日：2015-01-06
- 发明人： 리질란 , 쿠아텡호크 , 딩지아페이 , 라가벤드라라빈드라
- 申请人： 에이에스엠 테크놀러지 싱가포르 피티이 엘티디
- 申请人地址： * YISHUN AVENUE * SINGAPORE ****** SINGAPORE
- 专利权人： 에이에스엠 테크놀러지 싱가포르 피티이 엘티디
- 当前专利权人： 에이에스엠 테크놀러지 싱가포르 피티이 엘티디
- 当前专利权人地址： * YISHUN AVENUE * SINGAPORE ****** SINGAPORE
- 代理人： 장훈
- 优先权： US13/155,529 2011-06-08
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205
摘要：
전구체 가스들(G1, G2)을 사용하여 기판(113)의 표면 상에 박막을 증착시키기 위한 장치(101)가 제공된다. 상기 장치(101)는 ⅰ) 상기 기판(113)을 보유하기 위한 지지 디바이스(111); 및 ⅱ) 상기 지지 디바이스(111)에 인접 위치된 스피너(105)를 포함한다. 특히, 상기 스피너(105)는 모터에 연결하기 위한 허브(106), 및 상기 허브(106)에 연결되는 하나 이상의 블레이드들(201)을 포함한다. 특히, 상기 하나 이상의 블레이드들(201)은, 상기 기판(113)의 표면을 가로질러 상기 전구체 가스들(G1, G2)을 분배하도록, 상기 전구체 가스들(G1, G2)의 유체 유동을 추진시키기 위해 평면 상에서 상기 허브(106) 둘레를 회전하도록 작동할 수 있다.
摘要（英）：
The precursor gases (G1, G2) the device (101) for depositing a thin film on a surface of the substrate 113 using, is provided. The device 101 ⅰ) the support device 111 for holding the substrate (113); And ⅱ) comprises a spinner (105) located adjacent to the support device (111). In particular, the spinner (105) includes one or more blades coupled to the hub 106 and the hub 106 for connection to the motor 201. The In particular, to promote the fluid flow of the one or more blades 201, each of the precursor gas across the surface of the substrate (113), (G1, G2) for, each of the precursor gas (G1, G2) to distribute to be operable to rotate the circumference and the hub 106 in a plane.
公开/授权文献:
- KR1020120136294A 박막 증착을 위한 장치 公开/授权日：2012-12-18
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |