基本信息:
- 专利标题： 원료 공급 장치 및 성막 장치
- 专利标题（英）：Raw material supplying device and film forming apparatus
- 专利标题（中）：原材料供应装置和薄膜成型装置
- 申请号：KR1020110143384 申请日：2011-12-27
- 公开(公告)号：KR101463295B1 公开(公告)日：2014-11-18
- 发明人： 와무라유우 , 후루야하루히꼬
- 申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 申请人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 장수길; 성재동
- 优先权： JPJP-P-2010-293207 2010-12-28
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/02
2 가스 및 옥탄이 공급되도록 각 밸브를 배치한다. 그리고, 원료 공급관(15)의 하방측에 다른 액 제거 기구를 설치하여, 당해 액 제거 기구에 원료 저류부(14)로부터 신장되는 공급관(14a) 및 액체 재료를 배출하기 위한 제1 원료 배출관(61)을 접속하여, 원료 공급관(15) 내의 액 제거를 행하는 경우에는, 당해 원료 공급관(15) 내에 대하여 상방측으로부터 하방측을 향해 N
2 가스나 옥탄을 공급한다.
An object of the present invention, when using a raw material feed pipe to supply a liquid material to the upper side from the lower side, as easily discharging the liquid material from the inside of the art materials supply pipe, close to the carburetor 11 to install the liquid removing mechanism, at the same time for connecting the upper end of the raw material supply pipe 15 to the bypass flow passage 54 in the second material feed valve 74 of the liquid removing mechanism, N
2 from the upper side of the second raw material supply valve 74 the placement of each valve so that the gas is supplied and octane. Then, the raw material by installing a different liquid removing mechanism to the lower side of the supply pipe 15, the first raw material discharge pipe (61 for discharging the supply pipe (14a) and the liquid material to be stretched in the art liquid removal mechanism from the source reservoir (14) ) to connect to, in the case of carrying out the liquid removal in the raw material supply pipe 15, and supplies a N
2 gas or octane toward the lower side from the upper side in the art for the raw material supply pipe (15).
公开/授权文献:
- KR1020120075420A 원료 공급 장치 및 성막 장치 公开/授权日：2012-07-06
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |