基本信息:
- 专利标题： 메모리 디바이스들 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：Memory devices and methods of manufacture thereof
- 专利标题（中）：存储器件及其制造方法
- 申请号：KR1020130025523 申请日：2013-03-11
- 公开(公告)号：KR101443507B1 公开(公告)日：2014-09-22
- 发明人： 칼니츠스키알랙산더 , 투안시아오친 , 추이펠릭스잉키트 , 루하우얀
- 申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 申请人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 代理人： 김태홍
- 优先权： US13/715,641 2012-12-14
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115 ; H01L21/8247
摘要：
메모리 디바이스들 및 그 제조방법이 개시된다. 일 실시예에서, 메모리 디바이스는 워크피스 위에 배치된 게이트를 갖는 트랜지스터를 포함한다. 트랜지스터는 워크피스에서 게이트 근처에 배치된 소스 영역과 드레인 영역을 포함한다. 메모리 디바이스는 워크피스를 향해 연장하는 팁 부분을 포함한 소거 게이트를 포함한다. 소거 게이트는 트랜지스터의 게이트에 커플링된다.
摘要（英）：
Memory devices and a method of manufacturing the same are disclosed. In one embodiment, the memory device includes a transistor having a gate disposed over the workpiece. The transistor comprises a source region and a drain region disposed near the gate in the workpiece. The memory device includes an erase gate, including a tip portion extending toward the workpiece. Erase gate is coupled to the gate of a transistor ring.
公开/授权文献:
- KR1020140077812A 메모리 디바이스들 및 그 제조방법 公开/授权日：2014-06-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |