基本信息:
- 专利标题： 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터의 게이트 전압 조절을 통한 멀티레벨 비휘발성 강유전체 고분자 메모리 동작 방법
- 专利标题（英）：The method for using FeFETs as multilevel nonvolatile ferroelectric polymer memory devices by controlling gate voltages
- 专利标题（中）：通过控制栅极电压将FeFET用作多层非易失性铁电聚合物存储器件的方法
- 申请号：KR1020120092076 申请日：2012-08-23
- 公开(公告)号：KR101438273B1 公开(公告)日：2014-09-04
- 发明人： 박철민 , 황선각
- 申请人： 연세대학교 산학협력단
- 申请人地址： 서울특별시 서대문구 연세로 ** (신촌동, 연세대학교)
- 专利权人： 연세대학교 산학협력단
- 当前专利权人： 연세대학교 산학협력단
- 当前专利权人地址： 서울특별시 서대문구 연세로 ** (신촌동, 연세대학교)
- 代理人： 김윤보
- 主分类号： G11C11/22
- IPC分类号： G11C11/22 ; G11C16/02
摘要：
본 발명은 멀티레벨 비휘발성 메모리 디바이스에 관한 기술로서, 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터를 이용하여 멀티레벨의 메모리 소자로의 구현이 가능하도록 하는 기술을 제공한다. 즉, 1개의 셀을 이용하여 멀티레벨이 가능하기 때문에 데이터 집적도가 높아진다. 또한, 데이터 리텐션 및 내구성 등이 매우 우수하며 휨성(flexibility)을 갖는 멀티레벨 메모리의 제조가 가능하다.
摘要（英）：
The present invention provides a technique for the technology relates to a multi-level nonvolatile memory device using a ferroelectric gate field effect transistor to enable the implementation of a multi-level memory device. That is, because the higher is possible by using a multi-level one cell, the data density. Further, it is possible to manufacture a data retention and excellent durability such as a multi-level memory, and has a warpage (flexibility).
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/19 | .在谐振电路中应用非线性电抗器件的 |
| ----G11C11/22 | ..应用铁电元件的 |