基本信息:
- 专利标题： 전력 반도체 모듈 및 전력 반도체 제조 방법
- 专利标题（英）：Power semiconductor module, and manufacturing method thereof
- 专利标题（中）：功率半导体模块及其制造方法
- 申请号：KR1020120121229 申请日：2012-10-30
- 公开(公告)号：KR101434039B1 公开(公告)日：2014-08-25
- 发明人： 김광수 , 손영호 , 서범석 , 박민규 , 이영기
- 申请人： 삼성전기주식회사
- 申请人地址： Maeyoung-Ro *** (Maetan-Dong), Youngtong-Gu, Suwon-Si, Gyeonggi-Do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전기주식회사
- 当前专利权人： 삼성전기주식회사
- 当前专利权人地址： Maeyoung-Ro *** (Maetan-Dong), Youngtong-Gu, Suwon-Si, Gyeonggi-Do, Republic of Korea
- 代理人： 특허법인씨엔에스
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48
摘要：
본 발명은 전력 반도체 모듈 및 전력 반도체 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 구현예에 따른 전력 반도체 모듈은, 리드 프레임, 절연층에 형성된 회로 배선을 구비한 베이스 기판, 상기 회로 배선에 접촉하여 배치된 복수의 전력 반도체 소자들, 및 복수의 기판들을 적층하여 형성되고, 내부에 형성된 도전성의 커넥트 라인을 이용하여 상기 전력 반도체 소자들과 상기 리드 프레임을 전기적으로 연결시키는 다층 기판을 포함한다.
摘要（英）：
The present invention power as a semiconductor module and a power semiconductor on the manufacturing method, a power semiconductor module according to one embodiment of the present invention, a lead frame, a base substrate having a wiring circuit formed on the insulating layer disposed in contact with the wire the circuit a plurality of power semiconductor devices, and is formed by laminating a plurality of substrates, using the conductivity of the connect lines formed therein comprises a multi-layer substrate and electrically connecting the lead frame with the power semiconductor device.
公开/授权文献:
- KR1020140055017A 전력 반도체 모듈 및 전력 반도체 제조 방법 公开/授权日：2014-05-09
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/48 | .用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线、接线端装置 |