基本信息:
- 专利标题： 도핑-프리 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：Doping-free silicon solar cell and the Fabrication method thereof
- 专利标题（中）：无掺杂硅太阳能电池及其制造方法
- 申请号：KR1020120079437 申请日：2012-07-20
- 公开(公告)号：KR101369729B1 公开(公告)日：2014-03-07
- 发明人： 고민재 , 한승희 , 김홍곤 , 김태희 , 김진영 , 김경곤 , 김봉수 , 이도권
- 申请人： 한국과학기술연구원
- 申请人地址： 서울특별시 성북구 화랑로**길 * (하월곡동)
- 专利权人： 한국과학기술연구원
- 当前专利权人： 한국과학기술연구원
- 当前专利权人地址： 서울특별시 성북구 화랑로**길 * (하월곡동)
- 代理人： 특허법인충현
- 主分类号： H01L31/042
- IPC分类号： H01L31/042 ; H01L31/18
摘要：
본 발명은 상하부 전극과 광흡수층 사이에 도핑(doping) 공정 없이도 전기장 (electric field)을 가해줄 수 있는 중간층(interfacial layer)을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 도핑공정이 없으므로 유독한 도핑가스를 사용하지 않아도 될 뿐만 아니라, 정공(hole)을 수송하는 역할을 하면서 광투과도가 높은 금속산화물을 빛이 입사되는 윈도우층(window layer)으로 사용함으로써 광흡수층에 도달하는 빛의 손실을 최소화시켜, 광전류밀도가 향상된 고효율 태양전지를 제조할 수 있다.
摘要（英）：
The present invention relates to a doped (doping) process without the need for the electric field amorphous silicon solar cell and a manufacturing method comprising a (electric field) can applied to the intermediate layer (interfacial layer) in the between the top and bottom electrodes and the light absorbing layer, not only it does not require the use of toxic doping gas because this doping process, the use of a hole (hole) window layer (window layer) which light is incident to the high light transmittance metal oxide and serve to transport reaches the light absorbing layer to minimize the loss of light, a photoelectric current density can be produced an improved high-efficiency solar cells.
公开/授权文献:
- KR1020140012471A 도핑-프리 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법 公开/授权日：2014-02-03