基本信息:
- 专利标题： 개선된 스위칭을 갖는 ＰＣＭＯ 비휘발성의 저항성 메모리
- 专利标题（英）：Pcmo non-volatile resitive memory with improved switching
- 专利标题（中）：PCMO非易失性存储器，具有改进的开关
- 申请号：KR1020127003651 申请日：2010-07-09
- 公开(公告)号：KR101357178B1 公开(公告)日：2014-01-29
- 发明人： 로엘로프스,안드레아스 , 시게르트,마르쿠스 , 베누고팔란,바이트야나탄 , 웨이,티안 , 안,용철 , 무랄리크리쉬난,발라크리쉬난 , 올레,헤인오엔
- 申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
- 申请人地址： ***** South De Anza Boulevard, Cupertino, CA *****, U.S.A.
- 专利权人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
- 当前专利权人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
- 当前专利权人地址： ***** South De Anza Boulevard, Cupertino, CA *****, U.S.A.
- 代理人： 특허법인 남앤드남
- 优先权： US12/501,533 2009-07-13
- 国际申请： PCT/US2010/041545 2010-07-09
- 国际公布： WO2011008651 2011-01-20
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115 ; H01L21/8247
Resistance sensing the memory cell comprises an amorphous praseodymium calcium manganese oxide layer which is disposed on a crystalline praseodymium calcium manganese oxide layer and a crystalline praseodymium calcium manganese oxide layer forming a resistive sensing memory stack. The first electrode and the second electrode are separated by a resistive sensing memory stack. Resistance memory cell is sensed may further comprise an oxygen diffusion barrier layer separating the crystalline praseodymium calcium manganese oxide layer and the amorphous praseodymium calcium manganese oxide layer. Methods by depositing an amorphous praseodymium calcium manganese oxide disposed on a crystalline praseodymium calcium manganese oxide layer and forming a resistive sensing memory stack.
公开/授权文献:
- KR1020120034119A 개선된 스위칭을 갖는 ＰＣＭＯ 비휘발성의 저항성 메모리 公开/授权日：2012-04-09
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |