基本信息:
- 专利标题: 실리콘 정련방법
- 专利标题(英):Refining process for silicon
- 专利标题(中):硅精炼工艺
- 申请号:KR1020110143900 申请日:2011-12-27
- 公开(公告)号:KR101356060B1 公开(公告)日:2014-01-28
- 发明人: 김성욱 , 박준표 , 김종호 , 석성호 , 김명균 , 이병필
- 申请人: 주식회사 포스코 , 재단법인 포항산업과학연구원
- 申请人地址: 경상북도 포항시 남구 동해안로 **** (괴동동)
- 专利权人: 주식회사 포스코,재단법인 포항산업과학연구원
- 当前专利权人: 주식회사 포스코,재단법인 포항산업과학연구원
- 当前专利权人地址: 경상북도 포항시 남구 동해안로 **** (괴동동)
- 代理人: 유미특허법인
- 主分类号: C01B33/021
- IPC分类号: C01B33/021 ; H01L31/042 ; C22B5/04
2 를 함유하는 Ar가스 투입으로 냉각 조절과 교반 효과를 얻을 수 있으며, 추가적인 B 제거효과를 얻을 수 있다.
The present invention includes as a slag on the silicon refining method subjected to primary polishing of the silicon metal; Step for applying a secondary refining of the silicon by the addition of calcium metal to the slag; Cooling the silicon refining the secondary; The step of acid treatment of the cooled silicone; And a step of unidirectional solidification of silicon with the acid treatment; Providing a silicon refining method including a to, a pre-refining process with slag and metal calcium B, and to lower the P level, to obtain an Ar gas is introduced into the cooling control and agitation effect containing water vapor and H
2 during cooling and it can provide the additional effect of removing B.
公开/授权文献:
- KR1020130075510A 실리콘 정련방법 公开/授权日:2013-07-05