基本信息:
- 专利标题: 금속막의 형성 방법
- 专利标题(英):Preparing method of metal film
- 专利标题(中):金属膜的制备方法
- 申请号:KR1020110071975 申请日:2011-07-20
- 公开(公告)号:KR101309067B1 公开(公告)日:2013-09-16
- 发明人: 성명모 , 한성환 , 조은영 , 권창협 , 배혜림 , 최상엽
- 申请人: (주)루미나노
- 申请人地址: 서울특별시 성동구 왕십리로 *** , 비***호(행당동, 한양대학교 한양종합기술연구원(에이치아이티))
- 专利权人: (주)루미나노
- 当前专利权人: (주)루미나노
- 当前专利权人地址: 서울특별시 성동구 왕십리로 *** , 비***호(행당동, 한양대학교 한양종합기술연구원(에이치아이티))
- 代理人: 특허법인엠에이피에스
- 主分类号: C23C18/16
- IPC分类号: C23C18/16 ; C23C18/32 ; C23C18/52
摘要:
본원은 기재 표면에 배치된 환원제에 의하여 금속 이온을 환원시켜 금속막을 형성하는 것을 이용한 금속막의 형성 방법 및 금속미세입자를 이용한 금속막 형성 방법 그리고 이들을 바탕으로 무전해 또는 전해 금속 도금용액을 이용한 금속막 형성에 관한 것이다.
摘要(英):
Herein is a metal film by a method of forming a metal film by reducing the metal ions by the reducing agent using a metal film forming method and the metal fine particles by the formation of a metal film and the electroless plating as those based on, or metal plating solution delivered disposed on the surface of the substrate It relates to a formation.
公开/授权文献:
- KR1020130011087A 금속막의 형성 방법 公开/授权日:2013-01-30