基本信息:
- 专利标题： 에칭 기판
- 专利标题（英）：Etching substrate
- 专利标题（中）：蚀刻底物
- 申请号：KR1020110083278 申请日：2011-08-22
- 公开(公告)号：KR101302681B1 公开(公告)日：2013-09-03
- 发明人： 이성찬 , 최호삼 , 박지은 , 오정근 , 남금희 , 김선기
- 申请人： 코닝정밀소재 주식회사
- 申请人地址： 충청남도 아산시 탕정면 만전당길 **
- 专利权人： 코닝정밀소재 주식회사
- 当前专利权人： 코닝정밀소재 주식회사
- 当前专利权人地址： 충청남도 아산시 탕정면 만전당길 **
- 代理人： 김선민
- 主分类号： C03C15/00
- IPC分类号： C03C15/00 ; H01L31/04
摘要：
본 발명은 글라스기판 에칭 시간을 단축하고 투과율을 높이면서 기판 표면에 다공성층(Porous Layer)을 균질하게 형성할 수 있는 에칭 기판의 조성에 관한 것으로, 본 발명에 따른 에칭 기판은, 산화규소(SiO
2 )를 포함하고, R
2 O
3 계열 성분을 전체 중량의 18wt.% 이상, 30wt.% 이하 포함하며, 여기서, R 은 13족 금속 또는 비금속 원소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要（英）：
2 )를 포함하고, R
2 O
3 계열 성분을 전체 중량의 18wt.% 이상, 30wt.% 이하 포함하며, 여기서, R 은 13족 금속 또는 비금속 원소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
The invention shortens and that while the transmittance height on the composition of the etched substrate can homogeneously form a porous layer (Porous Layer) to the substrate surface, etching the substrate in accordance with the present invention, the silicon oxide to the glass substrate etching time (SiO including
2), R
2 and O
3 series component comprises whole least 18wt.% of by weight, less than 30wt.%, where, R is characterized in that it includes at least one of a Group 13 metal or non-metal element.
公开/授权文献:
- KR1020130021015A 에칭 기판 公开/授权日：2013-03-05
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C03 | 玻璃；矿棉或渣棉 |
| ----C03C | 玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分；玻璃的表面处理；由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理；玻璃与玻璃或与其他材料的接合 |
| ------C03C15/00 | 纤维和丝之外的蚀刻法玻璃表面处理 |