基本信息:
- 专利标题： 저온 결합 방법 및 결합된 구조
- 专利标题（英）：Method For Low Temperature Bonding And Bonded Structure
- 专利标题（中）：低温接合和结合结构的方法
- 申请号：KR1020117015751 申请日：2001-02-15
- 公开(公告)号：KR101298859B1 公开(公告)日：2013-08-21
- 发明人： 통,킨-이 , 파운틴,가이우스,길만,주니어. , 엔퀴스트,폴,엠.
- 申请人： 집트로닉스, 인크.
- 申请人地址： **** Cornwallis Road, Research Triangle Park, NC *****, U.S.A.
- 专利权人： 집트로닉스, 인크.
- 当前专利权人： 집트로닉스, 인크.
- 当前专利权人地址： **** Cornwallis Road, Research Triangle Park, NC *****, U.S.A.
- 代理人： 장수길; 김영
- 优先权： US09/505,283 2000-02-16
- 国际申请： PCT/US2001/003683 2001-02-15
- 国际公布： WO2001061743 2001-08-23
- 主分类号： H01L21/3063
- IPC分类号： H01L21/3063
2 와 같은 재료를 실온에서 화학 결합시키는 단계를 포함할 수도 있다. 결합시킬 표면들은 고도의 평활도 및 평면도로 폴리싱한다(2). VSE 단계는 반응성 이온 에칭 또는 습식 에칭을 이용하여 결합시킬 표면들을 약하게 에칭시킬 수 있다(3). VSE 공정에 의해 표면 조도 및 평면도는 저하되지 않으며 높아질 수 있다. 에칭된 표면을 수산화암모늄 또는 플루오르화암모늄과 같은 용액에서 세정하여 표면 위의 원하는 결합 종의 형성을 촉진시킬 수 있다(4).
Coupling method at a low temperature or room temperature, comprises a surface activation step and the washing by cleaning or etching. The method may also comprise the step of chemically bonding the material at room temperature, such as by preventing the reverse polymerization by removing by-product of interfacial polymerization, with silicon, silicon nitride and SiO
2. Bond to the surface are polished to a smoothness and a plan view of the elevation (2). VSE step may be weakly etching the surfaces to be bonded by using a reactive ion etching or wet etching (3). Surface roughness, and a plan view by the VSE process can be increased is not reduced. An etched surface may facilitate the formation of the desired binding species on the surface by washing with a solution such as ammonium hydroxide or ammonium fluoride (4).
公开/授权文献:
- KR1020110091812A 저온 결합 방법 및 결합된 구조 公开/授权日：2011-08-12
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3063 | .......电解腐蚀 |