基本信息:
- 专利标题： 투명 전극을 이용한 발광다이오드
- 专利标题（英）：Light emitting diodes using a transparent electrode
- 专利标题（中）：使用透明电极的发光二极管
- 申请号：KR1020110070253 申请日：2011-07-15
- 公开(公告)号：KR101280501B1 公开(公告)日：2013-07-01
- 发明人： 이종람 , 김범준 , 손준호 , 홍기현 , 송양희
- 申请人： 포항공과대학교 산학협력단
- 申请人地址： 경상북도 포항시 남구 청암로 ** (지곡동)
- 专利权人： 포항공과대학교 산학협력단
- 当前专利权人： 포항공과대학교 산학협력단
- 当前专利权人地址： 경상북도 포항시 남구 청암로 ** (지곡동)
- 代理人： 특허법인아이엠
- 主分类号： H01L33/42
- IPC分类号： H01L33/42 ; H01L33/36
摘要：
본 발명은, 질화갈륨계 발광다이오드에 산화막/금속/산화막으로 이루어진 투명전극을 적용함으로써, 종래에 비해 발광효율을 향상시킬 수 있는 발광다이오드에 관한 것이다.
본 발명에 따른 발광다이오드는 발광 구조를 갖는 반도체층 위의 표면 반도체층이 N-페이스 또는 Ga-페이스를 갖는 n형 반도체 상에 형성된 투명전극을 포함하는 발광다이오드로서, 상기 투명전극은 상기 n형 반도체 상에, 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 형성된 다층구조로 이루어진 것을 특징으로 한다.
摘要（英）：
본 발명에 따른 발광다이오드는 발광 구조를 갖는 반도체층 위의 표면 반도체층이 N-페이스 또는 Ga-페이스를 갖는 n형 반도체 상에 형성된 투명전극을 포함하는 발광다이오드로서, 상기 투명전극은 상기 n형 반도체 상에, 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 형성된 다층구조로 이루어진 것을 특징으로 한다.
The present invention, by applying a transparent electrode made of oxide / metal / oxide film on the gallium nitride-based light emitting diode, to a light emitting diode capable of improving light emission efficiency than conventional ones.
Light emitting diode according to the present invention is a light emitting diode comprising a transparent electrode formed on the n-type semiconductor having a face or N- Ga- face surface semiconductor layer on the semiconductor layer having a light emitting structure, wherein the transparent electrode is the n-type on a semiconductor, it characterized in that formed of an oxide layer, a metal layer and the oxide layer a multi-layer structure is formed sequentially.
公开/授权文献:
- KR1020130009274A 투명 전극을 이용한 발광다이오드 公开/授权日：2013-01-23