基本信息:
- 专利标题： 습식식각형 버퍼층을 이용한 수직형 발광다이오드 제조 방법
- 专利标题（英）：Method of manufacturing light emitting diode using wet etched type buffer layer
- 专利标题（中）：使用湿蚀刻型缓冲层制造发光二极管的方法
- 申请号：KR1020110008583 申请日：2011-01-28
- 公开(公告)号：KR101238169B1 公开(公告)日：2013-02-27
- 发明人： 유학기 , 송양희 , 이종람
- 申请人： 포항공과대학교 산학협력단
- 申请人地址： 경상북도 포항시 남구 청암로 ** (지곡동)
- 专利权人： 포항공과대학교 산학협력단
- 当前专利权人： 포항공과대학교 산학협력단
- 当前专利权人地址： 경상북도 포항시 남구 청암로 ** (지곡동)
- 代理人： 특허법인아이엠
- 主分类号： H01L33/12
- IPC分类号： H01L33/12
본 발명에 따른 습식 식각형 버퍼층을 적용하게 되면 종래의 레이저 리프트 오프 기술에 비해 낮은 제조 단가로 수직형 발광 다이오드를 제작할 수 있으며 평탄한 n형 반도체 표면을 가지는 수직 발광다이오드에 비해 광출력이 2~3배 이상 증가할 수 있어 고출력 발광다이오드에 적합하게 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 방법은 제조단가가 높으며 대면적 웨이퍼 공정에의 적용이 어려운 전자선 리소그래피 패터닝을 사용하지 않기 때문에, 일반적인 나노구조물 형성방법에 비하여 단시간 내에 나노구조물을 형성할 수 있는 특징이 있어, 대면적 적용이나 제조단가, 그리고 공정시간 단축의 효과를 얻을 수 있다.
The invention relates to a method for producing the light extracting efficiency is enhanced vertical light emitting diode through the surface nanostructure generated spontaneously in the formation of the epitaxial growth of the buffer layer and the vertical light emitting diode using a wet-type hexagonal buffer.
When applying the wet type hexagonal buffer layer according to the invention to produce a vertical light emitting diode with a low manufacturing cost compared to a conventional laser lift-off technique and compared to a vertical light emitting diode having a planar n-type semiconductor surface light output 2-3 It can be more than doubled and can be suitably used for high-power light-emitting diode. In addition, the method according to the invention it is characterized by capable of forming a nanostructure in a short time compared with because it does not use a hard beam lithography patterning the application of a large area wafer process high in production costs, typical nanostructure forming method, large-area application and manufacturing cost, and can achieve the effect of process time reduction.
公开/授权文献:
- KR1020120099544A 습식식각형 버퍼층을 이용한 수직형 발광다이오드 제조 방법 公开/授权日：2012-09-11