基本信息:
- 专利标题： 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법
- 专利标题（英）：Semiconductor thin film structure and method of forming the same
- 专利标题（中）：半导体薄膜结构及其形成方法
- 申请号：KR1020110047692 申请日：2011-05-20
- 公开(公告)号：KR101235239B1 公开(公告)日：2013-02-21
- 发明人： 윤의준 , 하신우
- 申请人： 서울대학교산학협력단
- 申请人地址： 서울특별시 관악구 관악로 * (신림동)
- 专利权人： 서울대학교산학협력단
- 当前专利权人： 서울대학교산학협력단
- 当前专利权人地址： 서울특별시 관악구 관악로 * (신림동)
- 代理人： 송경근; 박보경
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
본 발명에서는 기판과 질화물 반도체 사이의 격자상수 및 열팽창계수 차이에 의한 응력 발생과 그로 인한 기판 휘어짐 현상을 조절하기 위해서, 희생층을 기판 위에 형성하고 다양한 방법으로 패터닝한 후, 그 위에 무기물 박막을 형성하고 나서 선택적으로 희생층을 제거하여, 기판 위에 기판과 무기물 박막으로 정의되는 빈 공간(cavity)을 형성하는 반도체 박막 형성 방법 및 이러한 방법으로 형성된 반도체 박막 구조를 제안한다.
摘要（英）：
After the present invention to control the stress and substrate deflection caused thereby due to lattice constant and thermal expansion coefficient difference between the substrate and the nitride semiconductor, and forming a sacrificial layer on the substrate patterned in a variety of ways, forming an inorganic thin film thereon, and then selectively removing the sacrificial layer, and proposes a semiconductor thin film structure formed in a semiconductor thin film formed and such a method of forming a void (cavity) defined by the substrate and the inorganic thin film on the substrate.
公开/授权文献:
- KR1020120129439A 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법 公开/授权日：2012-11-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |