基本信息:
- 专利标题： 슬러리 공급시스템
- 专利标题（英）：Slurry Supply System
- 专利标题（中）：泥浆供应系统
- 申请号：KR1020100097168 申请日：2010-10-06
- 公开(公告)号：KR101222275B1 公开(公告)日：2013-01-16
- 发明人： 김성호
- 申请人： 에스케이실트론 주식회사
- 申请人地址： **, Imsu-ro, Gumi-si, Gyeongsangbuk-do
- 专利权人： 에스케이실트론 주식회사
- 当前专利权人： 에스케이실트론 주식회사
- 当前专利权人地址： **, Imsu-ro, Gumi-si, Gyeongsangbuk-do
- 代理人： 서교준
- 主分类号： H01L21/301
- IPC分类号： H01L21/301 ; B24B27/06 ; B28D5/04
실시예에 따른 슬러리 공급시스템은 단결정 잉곳 절단장치에 사용되는 슬러리 공급시스템에 있어서, 슬러리가 공급되는 제1 슬러리 노즐 봉; 상기 공급된 슬러리가 분사될 수 있도록 상기 제1 슬러리 노즐 봉 상측에 형성되고, 서로 이격된 복수의 홀 형태의 제1 홀 분사구; 상기 제1 홀 분사구의 홀들을 막아주도록 상기 제1 슬러리 노즐 봉 내부에 구비되고, 상기 제1 홀 분사구의 홀 사이즈보다 작은 홀들로 이루어진 슬러리 걸름망; 상기 제1 슬러리 노즐봉을 내포하도록 구비된 제2 슬러리 노즐 봉; 및 상기 제2 슬러리 노즐 봉 하측에 라인 형태로 구성되며, 서로 평행한 방향으로 배열된 제1,2 홈 분사구;를 포함하며, 상기 제1 홈 분사구와 상기 제2 홈 분사구의 중심으로부터 상기 제2 홈 분사구까지의 각도는 20°~40°로 구성된다.
Embodiment relates to a slurry feed system.
Slurry feed system according to the embodiment, in the slurry feed systems used in the single crystal ingot cutting apparatus, the first slurry has a slurry supply nozzle rod; The first slurry nozzles formed on the upper rod, the first hole injection hole of the plurality of holes form spaced apart from one another so that a slurry of the feed injection; Geolreummang give slurry prevents the holes of the first hole injection port of the first slurry nozzles being provided in the rod, consisting of the small holes than the hole size of the first hole injection hole; Second slurry nozzle adapted to involve said first slurry nozzle rod rod; And the second slurry consists of a nozzle line form in the lower rod, first and second grooves ejection port arranged in a direction parallel to each other; includes, the first groove and the second ejection port from the center of the second ejection port groove the angle of the injection hole to the home consists of 20 ° ~ 40 °.
公开/授权文献:
- KR1020120035568A 슬러리 공급시스템 公开/授权日：2012-04-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/301 | .....把半导体再细分成分离部分，例如分隔 |