基本信息:
- 专利标题： 스퍼터링 타겟, 투명 도전막 및 투명 전극
- 专利标题（英）：Sputtering target, transparent conductive film and transparent electrode
- 专利标题（中）：透射目标，透明导电膜和透明电极
- 申请号：KR1020087005125 申请日：2006-08-30
- 公开(公告)号：KR101141868B1 公开(公告)日：2012-05-11
- 发明人： 야노,고끼 , 이노우에,가즈요시 , 다나까,노부오 , 가이조,아끼라 , 우메노,사또시
- 申请人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 申请人地址： 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 专利权人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 代理人： 장수길; 박보현
- 优先权： JPJP-P-2005-00253986 2005-09-01; JPJP-P-2005-00271665 2005-09-20; JPJP-P-2005-00303024 2005-10-18
- 国际申请： PCT/JP2006/317135 2006-08-30
- 国际公布： WO2007026783 2007-03-08
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; C23C14/08
摘要：
적어도 인듐, 주석 및 아연을 함유하고, Zn
2 SnO
4 로 표시되는 스피넬 구조 화합물 및 In
2 O
3 으로 표시되는 빅스바이트 구조 화합물을 포함하는 산화물의 소결체인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟. 인듐, 주석, 아연 및 산소를 함유하고, X선 회절(XRD)에 의해서 빅스바이트 구조 화합물의 피크만이 실질적으로 관측되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
스퍼터링 타겟, 투명 도전막, 투명 전극, 스피넬 구조 화합물, 빅스바이트 구조 화합물
摘要（英）：
2 SnO
4 로 표시되는 스피넬 구조 화합물 및 In
2 O
3 으로 표시되는 빅스바이트 구조 화합물을 포함하는 산화물의 소결체인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟. 인듐, 주석, 아연 및 산소를 함유하고, X선 회절(XRD)에 의해서 빅스바이트 구조 화합물의 피크만이 실질적으로 관측되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
스퍼터링 타겟, 투명 도전막, 투명 전극, 스피넬 구조 화합물, 빅스바이트 구조 화합물
Containing at least indium, and tin and zinc, Zn 2 SnO 4 spinel structural compound and the In 2 O 3 sputtering characterized in that the sintered body of an oxide containing the target compound represented by the VIX-byte structure represented by. Containing indium, tin, zinc and oxygen, X-ray diffraction peak only of Biggs byte structure by compound (XRD) is a sputtering target characterized in that a substantially observed. Sputtering target, a transparent conductive film, the transparent electrode, the spinel structural compound, Biggs byte structure compound
公开/授权文献:
- KR1020080038381A 스퍼터링 타겟, 투명 도전막 및 투명 전극 公开/授权日：2008-05-06