基本信息:
- 专利标题： 반도체 패키지의 제조 방법
- 专利标题（英）：Method for fabricating of semiconductor package
- 专利标题（中）：半导体封装的制造方法
- 申请号：KR1020070060263 申请日：2007-06-20
- 公开(公告)号：KR100895813B1 公开(公告)日：2009-05-06
- 发明人： 한권환 , 박창준 , 서민석 , 김성철 , 김성민 , 양승택 , 이승현 , 김종훈 , 이하나
- 申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 申请人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 代理人： 강성배
- 主分类号： H01L23/12
- IPC分类号： H01L23/12 ; H01L21/60 ; H01L23/48
摘要：
본 발명에 따른 반도체 패키지의 제조 방법은, 상면에 본딩 패드가 구비된 반도체 칩의 상기 본딩 패드 외측 부분에 홈을 형성하는 단계; 상기 홈 측벽에 절연막을 형성하는 단계; 상기 측벽에 절연막이 형성된 홈을 매립하도록 상기 반도체 칩 상에 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막을 식각하여 홈을 매립하는 관통 실리콘 비아 및 상기 관통 실리콘 비아와 본딩 패드를 연결하는 재배선을 동시에 형성하는 단계; 및 상기 관통 실리콘 비아의 저면이 반도체 칩으로부터 돌출되도록 상기 반도체 칩의 후면을 제거하는 단계를 포함한다.
摘要（英）：
The method for manufacturing a semiconductor package according to the invention, forming a groove in the outside portion and the bonding pads of the semiconductor chip provided with a bonding pad on the upper surface; Forming an insulating film on the groove side wall; Forming a metal film on the semiconductor chip so as to fill the groove formed in the insulating film on the side wall; Forming the re-wiring connecting the through-silicon vias, and the through silicon via to the bonding pad filling the groove by etching the metal film at the same time; And removing the rear surface of the semiconductor chip so that a bottom is projected from the semiconductor chip of the through silicon vias.
公开/授权文献:
- KR1020080111830A 반도체 패키지의 제조 방법 公开/授权日：2008-12-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/12 | .安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底 |