基本信息:
- 专利标题： 배선 패턴 형성 방법 및 ＴＦＴ용 게이트 전극의 형성 방법
- 专利标题（英）：Method for forming wiring pattern and method for forming gate electrode of tft
- 专利标题（中）：用于形成布线图案的方法和形成TFT栅极电极的方法
- 申请号：KR1020050062283 申请日：2005-07-11
- 公开(公告)号：KR100726270B1 公开(公告)日：2007-06-11
- 发明人： 히라이도시미츠 , 사카이신리
- 申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-*, Shinjuku *-chome, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-*, Shinjuku *-chome, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 문두현; 문기상
- 优先权： JPJP-P-2004-00247908 2004-08-27
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786
제 1 영역의 폭이 제 1 폭이며, 제 2 영역의 폭이 상기 제 1 폭 이하인 제 2 폭으로 한다. 그리고 배선 패턴 형성 방법은 상기 제 1 폭 이하 및 상기 제 2 폭 이상의 직경의 액적을 상기 제 1 영역을 향해서 토출하여, 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역을 덮는 상기 도전성 재료층을 형성하는 스텝(A)을 포함한다. 여기서 상기 스텝(A)은 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 경계선에 직면하는 위치에 상기 액적이 착탄(着彈)하도록 상기 액적을 토출하는 스텝(a1)을 포함하고 있다.
도전성, 액적, 착탄, 토출
The present invention is not limited to a liquid drop discharge area having a width smaller than the diameter of the droplet (液滴), is a challenge to establish a conductive material layer in the area. The width and the first width of the first region, the first width to the second width of the second region is less than or equal to the first width. And wiring pattern forming method is the step of forming the conductive material layer covering the discharge toward the liquid drops of the first region with a diameter of more than the first width less than and the second width, the first region and the second region ( It comprises a). Wherein said step (A) includes a step (a1) for ejecting the liquid to the liquid droplet is deposited (着 彈) in a position facing the boundary of the first area and the second area. Conductive, liquid, deposited, discharged
公开/授权文献:
- KR1020060050049A 배선 패턴 형성 방법 및 ＴＦＴ용 게이트 전극의 형성 방법 公开/授权日：2006-05-19
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |