基本信息:
- 专利标题： 반도체 소자의 제조 방법
- 专利标题（英）：Method of manufacturing a semiconductor device
- 专利标题（中）：制造半导体器件的方法
- 申请号：KR1019990024210 申请日：1999-06-25
- 公开(公告)号：KR100335770B1 公开(公告)日：2002-05-09
- 发明人： 안기철
- 申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 申请人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 代理人： 신영무; 최승민
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304
摘要：
본발명은반도체소자의제조방법에관한것으로, CMP 공정에의해평탄화를실현하는반도체소자의제조방법중감광제코팅후웨이퍼가장자리에서비정상적으로두껍게코팅된감광제를제거하면서생성되는 EBR(edge bead removal) 라인폭을마스크공정별로최적화하여후속 CMP 공정시이 부분에서의과도한연마를최소화하여하부패턴이노출되는현상을방지하고폴리실리콘막의결함발생을최소화한다.
摘要（中）：
本发明涉及一种制造半导体器件的方法，（边缘珠粒去除）EBR产生而异常增厚除去涂覆感光材料在半导体器件晶片边缘的制造方法的光敏剂涂覆之后，实现了通过CMP工艺线平坦化 优化的宽度对于每个掩模步骤，以防止通过最小化过度抛光eseoui施部分后续CMP工艺和下部图案曝光最小化了的多晶硅膜中的缺陷的现象。
摘要（英）：
The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, (edge bead removal) EBR produced while abnormal thickening remove the coated photosensitive material in the after photosensitizer coating of the manufacturing method of the semiconductor device wafer edge to achieve a planarized by a CMP process line optimize the width for each mask step to prevent the phenomenon that by minimizing the excessive polishing of the portion in the subsequent CMP process, the lower pattern is exposed and the polysilicon film and minimizes the defects.
公开/授权文献:
- KR1020010003775A 반도체 소자의 제조 방법 公开/授权日：2001-01-15
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |