基本信息:
- 专利标题： 接続材料及び半導体装置
- 专利标题（英）：Connecting material and a semiconductor device
- 申请号：JP2010510144 申请日：2009-04-28
- 公开(公告)号：JPWO2009133897A1 公开(公告)日：2011-09-01
- 发明人： 林 宏樹 , 宏樹 林 , 馨 今野 , 馨 今野 , 理子 平 , 理子 平
- 申请人： 日立化成工業株式会社
- 专利权人： 日立化成工業株式会社
- 当前专利权人： 日立化成工業株式会社
- 优先权： JP2008118418 2008-04-30
- 主分类号： H01B5/00
- IPC分类号： H01B5/00 ; B22F1/00 ; B22F1/02 ; C09J9/02 ; C09J11/04 ; C09J201/00 ; H01B1/22 ; H01L21/52 ; H01R4/04
摘要：
本発明は、加重をかけることなく200℃以下の硬化温度で接合した場合であっても、高い熱伝導率を有し、且つ硬化体を260℃で加熱した場合であっても、十分な接着強度を有する接続材料及びこれを用いた半導体装置を提供することを目的として、X線光電子分光法で測定される酸素の状態比率が15%未満である金属粒子を含有する接続材料、特にその表面の酸化膜を除去する処理及び表面保護材による表面処理を施した金属粒子を含有する接続材料を提供する。
摘要（英）：
The present invention, even when joined at 200 ° C. below the curing temperature without applying a load, has a high thermal conductivity, even when the heating and the cured product at 260 ° C., sufficient adhesion for the purpose of providing a semiconductor device connecting material and using the same have the strength, connecting material state ratio of oxygen measured by X-ray photoelectron spectroscopy contains metal particles is less than 15%, in particular its surface providing a connecting material containing metal particles subjected to a surface treatment by treatment and surface protective material to remove the oxide film.
公开/授权文献:
- JP5921808B2 接続材料及び半導体装置 公开/授权日：2016-05-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01B | 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择 |
| ------H01B5/00 | 按形状区分的非绝缘导体或导电物体 |