基本信息:
- 专利标题： 電子ビーム露光装置
- 专利标题（英）：Electron beam exposure apparatus
- 申请号：JP2007516201 申请日：2005-11-18
- 公开(公告)号：JPWO2006123447A1 公开(公告)日：2008-12-25
- 发明人： 建次郎 木村 , 建次郎 木村 , 圭 小林 , 圭 小林 , 啓文 山田 , 啓文 山田 , 松重 和美 , 和美 松重
- 申请人： 国立大学法人京都大学
- 专利权人： 国立大学法人京都大学
- 当前专利权人： 国立大学法人京都大学
- 优先权： JP2005144049 2005-05-17
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; H01J37/305
摘要：
本発明の電子ビーム露光装置は、二次元の光パターン(13)を発生するためのプロジェクター(8)と、入射された光パターン(13)に基づく電子ビームアレイを生成し、その電子ビームアレイを増幅し、増幅電子ビームアレイ(14)として出射するためのマイクロチャネルプレート(11)と、増幅電子ビームアレイ(14)を集束するための電子ビームレンズ部(12)とを有する。上記電子ビーム露光装置は、電子ビームによる露光によって、より微細加工されて性能が向上した半導体素子を製造できる。また、上記電子ビーム露光装置は、上記露光を二次元パターンによる一括露光できるから、上記製造を低コスト化できる。
摘要（英）：
Electron beam exposure apparatus of the present invention includes a projector (8) for generating a two-dimensional light pattern (13) to generate an electron beam array based on the incident light pattern (13), the electron beam array amplified comprises a microchannel plate for emitting the amplified electron beam array (14) (11), the electron beam lens section for focusing the amplified electron beam array (14) and (12). The electron beam exposure apparatus, the exposure by the electron beam can be produced a semiconductor device having an improved and more microfabricated with performance. Further, the electron beam exposure apparatus, because the exposure can batch exposure by the two-dimensional pattern can cost the production.
公开/授权文献:
- JP4945763B2 Electron beam exposure apparatus 公开/授权日：2012-06-06
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |